[发明专利]双向高维持电流SCR器件

权利要求书

1.一种双向高维持电流SCR器件，其特征在于包括：P型衬底（00）、位于P型衬底上方N型外延层（01）、位于N型外延层上方左侧的第一PWELL区（201）、位于第一PWELL区（201）内部上方的第一N+接触区（111）、位于第一PWELL区（201）内部上方的第一P+接触区（211）；其中第一P+接触区（211）位于第一N+接触区（111）左侧；位于N型外延层上方右侧的第二PWELL区（202）、位于第二PWELL区（202）内部上方的第二N+接触区（112）、位于第二PWELL区（202）内部上方的第二P+接触区（212），其中第二P+接触区（212）位于第二N+接触区（112）右侧；位于N型外延层（01）上方的NTOP层（13）；第一N+接触区（111）与第一P+接触区（211）通过金属短接形成金属阳极（31）；第二N+接触区（112）、第二P+接触区（212）通过金属短接形成金属阴极（32）。

2.根据权利要求1所述的一种双向高维持电流SCR器件，其特征在于：第一PWELL区（201）与第二PWELL区（202）中间设有NWELL区（10），NTOP层（13）位于NWELL区（10）内部上方。

3.根据权利要求2所述的一种双向高维持电流SCR器件，其特征在于：第一PWELL区（201）与NWELL区（10）之间设有第一N+低触发区（121），且第一N+低触发区（121）一部分位于第一PWELL区（201）内、一部分位于NWELL区（10）内；第二PWELL区（202）与NWELL区（10）之间设有第二N+低触发区（122），且第二N+低触发区（122）一部分在第二PWELL区（202）内、一部分在NWELL区（10）内。

4.根据权利要求3所述的一种双向高维持电流SCR器件，其特征在于：NTOP层（13）包括i个不连续的子区域(131、132……13i)，i≥2。

5.根据权利要求4所述的一种双向高维持电流SCR器件，其特征在于：第一N+接触区（111）与第一N+低触发区（121）之间设有第一栅氧化层（031），第一N+低触发区（121）与NTOP层第一子区域（131）之间设有第二栅氧化层（032）， NTOP层（13）相邻子区域之间分别设有第三栅氧化层（033）、第四栅氧化层（034）、……第i栅氧化层（03i）、第i+1栅氧化层（03i+1）；第i子区域（13i）和第二N+低触发区（122）之间设有第i+2栅氧化层（03i+2），第二N+低触发区（122）和第二N+接触区（112）之间设有第i+3栅氧化层（03i+3）；第一栅氧化层（031）、第二栅氧化层（032）、第三栅氧化层（033）、第四栅氧化层（034）、……第i栅氧化层（03i）、第i+1栅氧化层（03i+1）、第i+2栅氧化层（03i+2）、第i+3栅氧化层（03i+3）上方分别设有第一栅极（041）、第二栅极（042）、……第i栅极（04i）、第i+1栅极（04i+1）、第i+2栅极（04i+2）、第i+3栅极（04i+3）。

6.根据权利要求1所述的一种双向高维持电流SCR器件，其特征在于：所述器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时N型掺杂变为P型掺杂。