[发明专利]Micro LED转移方法及显示面板、显示装置有效
申请号: | 201810972545.7 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109148506B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 何泽尚;邢亮;符鞠建;刘刚 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 李春晖 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 转移 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种Micro LED显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板表面的像素定义层,所述像素定义层包括多个开口;
位于所述开口内的第一导电层;
位于所述第一导电层背离所述衬底基板表面的光敏导电键合层;
位于所述光敏导电键合层背离所述第一导电层的Micro LED结构,所述Micro LED结构的至少一个电极与所述光敏导电键合层电性连接;
其中,所述光敏导电键合层用于在所述Micro LED结构转移过程中实现对所述MicroLED结构的检测。
2.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述光敏导电键合层包括光敏层和掺杂在所述光敏层中的金属球或纳米银材料。
3.根据权利要求2所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述光敏层的材料包括丙烯酸酯类预聚物、活性单体和光引发剂,所述光引发剂为可见光引发剂。
4.根据权利要求3所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述光引发剂的吸收主波长和与所述光敏导电键合层连接的Micro LED结构的发光颜色的波长相同。
5.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述Micro LED结构为垂直结构LED,包括依次层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层,以及第一电极和第二电极;
其中,所述第一电极位于所述第一型半导体层背离所述有源层的一侧;
所述第二电极位于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧。
6.根据权利要求5所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述第一电极与所述第一导电层通过所述光敏导电键合层电性连接。
7.根据权利要求6所述的Micro LED显示面板,其特征在于,还包括第二导电层,所述第二导电层与所述第二电极电性连接,通过给所述第一导电层和所述第二导电层加电信号,控制所述Micro LED结构发光。
8.根据权利要求7所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述Micro LED显示面板为无源矩阵发光二极管显示面板。
9.根据权利要求7所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述Micro LED显示面板为有源矩阵发光二极管显示面板;
所述衬底基板还包括多个薄膜晶体管,至少两个所述薄膜晶体管控制一个所述MicroLED结构,其中,一个所述薄膜晶体管作为驱动晶体管,其他所述薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管为所述驱动晶体管提供控制电压;
所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极;
所述漏极与所述第一导电层电性连接;
多个所述开口中的所述第二导电层之间电性连接。
10.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板,其特征在于,所述Micro LED结构为同侧电极结构LED,包括依次层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层,以及第一电极和第二电极;
其中,所述第一电极位于所述第一型半导体层背离所述有源层的表面;
所述第二电极位于所述第二型半导体层朝向所述有源层的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的