[发明专利]Micro LED转移方法及显示面板、显示装置

说明书

本申请公开一种Micro LED转移方法及Micro LED显示面板和Micro LED显示装置，所述Micro LED显示面板包括衬底基板、像素定义层，像素定义层包括开口，位于开口内层叠设置的第一导电层、光敏导电键合层和Micro LED结构。所述光敏导电键合层具有光照后固化，使得粘接在光敏导电键合层相对两个表面的结构能够键合在一起，由于光敏导电键合层的存在，能够在Micro LED转移过程中实现Micro LED的检测，而不是在键合完成后，再进行后续检测，从而节省了去除已经键合的不正常显示Micro LED的步骤，使得Micro LED检测和修复工艺简单化。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro LED(Micro Light EmittingDiode，微型发光二极管或微发光二极管)转移方法及Micro LED显示面板和Micro LED显示装置。

背景技术

Micro LED发展成未来显示技术的热点之一，Micro LED显示器所采用LED尺寸为微米等级，具有画素的独立控制、独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和高色彩度等特点，但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术：巨量转移技术。随着技术的发展，巨量转移技术发展至今已经出了不少技术分支，如静电吸附、镭射激光等。

传统巨量转移微型LED的方法是通过基板接合(Wafer Bonding)将微型元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微型元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为“间接转移”。此方法包含两次接合/剥离的步骤。在间接转移中，转置头可将位于中间承载基板上的部分微型元件阵列拾起，然后再将微型元件阵列接合至接收基板，接着再把转置头移除。

但现有技术中的直接转移或间接转移的巨量转移技术中，对Micro LED检测的工艺均是在接收基板上键合Micro LED后，通过检测电路检测，若检测出异常Micro LED，则对异常的Micro LED进行替换修复，但这使得后续检测和修复过程较为复杂。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种Micro LED转移方法及Micro LED显示面板和MicroLED显示装置，以解决现有技术中在接收基板上键合Micro LED后，再进行检测和修复，使得后续检测和修复工艺较为复杂的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种Micro LED显示面板，包括：

衬底基板；

位于衬底基板表面的像素定义层，像素定义层包括多个开口；

位于开口内的第一导电层；

位于第一导电层背离衬底基板表面的光敏导电键合层；

位于光敏导电键合层背离第一导电层的Micro LED结构，Micro LED结构的至少一个电极与光敏导电键合层电性连接。

本发明还提供一种Micro LED显示装置，包括上面所述的Micro LED显示面板。

本发明还提供一种Micro LED转移方法，用于形成上面所述的Micro LED显示面板，所述Micro LED转移方法包括：

提供阵列基板、多个Micro LED结构、光敏导电键合层和转移头，阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上的像素定义层，像素定义层包括多个开口，以及位于开口内的第一导电层；

采用转移头拾取多个Micro LED结构；

将拾取的多个Micro LED结构通过光敏导电键合层与第一导电层结合；

给第一导电层加电信号导通Micro LED结构；

移走转移头；