[发明专利]金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法有效
申请号: | 201810975544.8 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109423647B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 沈庆辅;金童基;南基龙 | 申请(专利权)人: | 东友精细化工有限公司 |
主分类号: | C23F1/16 | 分类号: | C23F1/16;C23F1/30;H01L21/306 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;宋海花 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 蚀刻 组合 利用 导电 图案 形成 方法 | ||
1.一种金属膜蚀刻液组合物,其为包含含银膜的金属膜的蚀刻用组合物,所述金属膜蚀刻液组合物包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、有机盐以及余量的水,但不包含磷酸,
所述无机酸不包含硫酸,
组合物总重量中,所述有机酸的含量为10~60重量%,
所述金属膜蚀刻液组合物在常温下,粘度为1~3.3cp。
2.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物,所述蚀刻引发剂包含选自由硫化过氧化物、过氧化氢、过硫酸盐和过硝酸盐组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的金属膜蚀刻液组合物,所述蚀刻引发剂包含过硫酸氢钾制剂。
4.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物,所述无机酸包含硝酸。
5.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物,所述有机酸包含第一有机酸以及酸性比所述第一有机酸弱的第二有机酸。
6.根据权利要求5所述的金属膜蚀刻液组合物,所述第一有机酸包含乙酸,
所述第二有机酸包含选自由亚氨基二乙酸(IDA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、甘氨酸、水杨酸、柠檬酸、甲酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、丁酸、葡糖酸、乙醇酸和戊酸组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物,所述有机盐包含乙酸盐或草酸盐系化合物。
8.根据权利要求7所述的金属膜蚀刻液组合物,所述有机盐包含乙酸钠和乙酸铵中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物,组合物总重量中,包含:
所述蚀刻引发剂0.5~20重量%;
所述无机酸1~10重量%;
所述有机盐0.1~5重量%;以及
余量的水。
10.一种导电图案形成方法,其包括:
在基板上形成金属膜的步骤;以及
使用权利要求1~9中任一项所述的金属膜蚀刻液组合物将所述金属膜蚀刻的步骤,其中,
形成所述金属膜的步骤包括形成含银膜的步骤。
11.根据权利要求10所述的导电图案形成方法,形成所述金属膜的步骤进一步包括形成至少一层透明导电性氧化膜的步骤。
12.根据权利要求11所述的导电图案形成方法,所述透明导电性氧化膜包含选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镓锌(GZO)和氧化铟镓锌(IGZO)组成的组中的至少一种。
13.根据权利要求10所述的导电图案形成方法,其进一步包括使形成了所述金属膜的所述基板倾斜的步骤。
14.根据权利要求10所述的导电图案形成方法,其进一步包括:
在所述基板上形成薄膜晶体管的步骤;
形成与所述薄膜晶体管电连接的像素电极的步骤;以及
在所述像素电极上形成显示层的步骤,
所述金属膜形成在所述显示层上。
15.根据权利要求14所述的导电图案形成方法,所述导电图案作为图像显示装置的公共电极、反射电极或配线而提供。
16.根据权利要求10所述的导电图案形成方法,所述导电图案作为触摸传感器的迹线或感应电极而提供。
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