[发明专利]金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法

说明书

本发明提供一种金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法，该金属膜蚀刻液组合物包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、有机盐以及余量的水，且在常温下，粘度为1～3.3cp。通过使用金属膜蚀刻液组合物，能够形成蚀刻不良减少且具有提高了的均匀性的微细尺寸的导电图案。

技术领域

本发明涉及金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。更详细而言，涉及包含酸成分的金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。

背景技术

例如，作为半导体装置和显示装置的驱动电路中的一部分，利用薄膜晶体管(ThinFilm Transistor：TFT)。TFT例如在有机发光显示(OLED)装置或液晶显示装置(LCD)的基板上按照各个像素排列，像素电极、对电极、源电极、漏电极、数据线、电源线等配线可以与上述TFT电连接。

为了形成上述电极或配线，可以在显示器基板上形成金属膜，在上述金属膜上形成光致抗蚀剂后，使用蚀刻液组合物将上述金属膜部分地去除。

为了减小配线电阻而防止信号传递延迟，且确保配线的耐化学性、稳定性，上述金属膜可以形成为包含彼此具有不同化学特性的异种金属或异种导电物质的多层膜。

例如，为了呈现低电阻特性，可以形成含银(Ag)膜，且为了提高耐化学性、稳定性和透过度，可以追加形成氧化铟锡(Indium Tin Oxide：ITO)之类的透明导电性氧化物膜。

上述蚀刻液组合物一般包含大量的酸成分。根据上述酸成分的种类，蚀刻特性会发生变化，可能引发发生过蚀刻或未蚀刻、蚀刻残留物等不良。此外，上述酸成分中含有大量粘度大的酸溶液的情况下，由于组合物流动不畅，因而可能无法确保均匀的蚀刻特性。

例如，韩国注册专利第10-0579421号中公开了一种银蚀刻液组合物，但在充分解决由上述酸成分导致的蚀刻不均匀性方面存在局限。

现有技术文献

专利文献

韩国注册专利公报10-0579421号(2006.05.08.)

发明内容

所要解决的课题

本发明的一课题在于，提供具有提高了的蚀刻均匀性、高分辨率的金属膜蚀刻液组合物。

本发明的一课题在于，提供使用上述金属膜蚀刻液组合物的导电图案形成方法。

本发明的一课题在于，提供使用上述金属膜蚀刻液组合物的显示器基板的制造方法。

解决课题方法

1.一种金属膜蚀刻液组合物，其包含蚀刻引发剂、无机酸、有机酸、有机盐以及余量的水，且在常温下，粘度为1～3.3cp。

2.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，上述蚀刻引发剂包含选自由硫化过氧化物、过氧化氢、过硫酸盐和过硝酸盐组成的组中的至少一种。

3.如2所述的金属膜蚀刻液组合物，上述蚀刻引发剂包含过硫酸氢钾制剂(oxone)。

4.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，上述无机酸包含硝酸。

5.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，上述有机酸包含第一有机酸以及酸性比所述第一有机酸弱的第二有机酸。

6.如5所述的金属膜蚀刻液组合物，上述第一有机酸包含乙酸，