[发明专利]一种超长氧化钼纳米带生长方法

权利要求书

1.一种超长氧化钼纳米带生长方法，其特征在于该方法基于以下设备，包括管式炉设备本体，以及设置在管式炉设备本体内的杠铃形内管；杠铃形内管的中间杠杆位置且靠近于出气口设置硫化钼放置舟，杠铃形内管的哑铃位置且靠近于出气口设置硅放置舟；硫化钼放置舟与硅放置舟的高度差为2.5～3cm，水平距离为7～10 cm，且硫化钼放置舟位于较高处；

该方法具体包括以下步骤：

步骤(1)、硅片清洗预处理并干燥；

步骤(2)、将硅片放入杠铃形内管中硅放置舟，将硫化钼粉末作为源放入硫化钼放置舟，然后打开真空泵抽气，使管中气压至40～50 Pa；

步骤(3)、打开氮气罐，通氮气进入管式炉，使气体流速维持在50～55 sccm，气压维持在430～440 Pa；

步骤(4)、30min内加热至750～800°，并保温40 min；

步骤(5)、关闭氮气和真空泵，让管式炉自然降温至室温；

上述制备得到的超长氧化钼纳米带长度为1～2 cm，宽度为1～2mm。

2.如权利要求1所述的一种超长氧化钼纳米带生长方法，其特征在于硅片采用（100）面单晶硅片，在表层有大约295～305 nm厚的SiO2薄膜,硅片宽2～2.5cm,长4～5cm。