[发明专利]电机驱动电路、半导体装置以及电子设备

权利要求书

1.一种电机驱动电路，其具有第一H桥电路，该第一H桥电路与如下节点连接：第一节点，其被供给第一电源电位；第二节点，其被供给比所述第一电源电位低的第二电源电位；以及第三节点和第四节点，它们分别与作为驱动对象的电机的2个端子连接，在所述电机驱动电路中，所述第一H桥电路包含：

第一P沟道MOS晶体管，其在P型的半导体衬底中配置于N型的第一杂质区域，连接于所述第一节点与所述第三节点之间；

第一N沟道MOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于N型的第二杂质区域、或者直接配置于所述半导体衬底并具有N型的第二杂质区域，该第一N沟道MOS晶体管连接于所述第二节点与所述第三节点之间；

第二P沟道MOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于N型的第三杂质区域，连接于所述第一节点与所述第四节点之间；以及

第二N沟道MOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于N型的第四杂质区域、或者直接配置于所述半导体衬底并具有N型的第四杂质区域，该第二N沟道MOS晶体管连接于所述第二节点与所述第四节点之间，

所述第一杂质区域与所述第三杂质区域之间的距离小于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间的距离、小于所述第三杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离且小于所述第二杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离。

2.根据权利要求1所述的电机驱动电路，其中，

所述第一P沟道MOS晶体管是EDMOS晶体管，

所述第二P沟道MOS晶体管是EDMOS晶体管，

所述第一N沟道MOS晶体管是LDMOS晶体管，

所述第二N沟道MOS晶体管是LDMOS晶体管。

3.一种电机驱动电路，其具有第一H桥电路，该第一H桥电路与如下节点连接：第一节点，其被供给第一电源电位；第二节点，其被供给比所述第一电源电位低的第二电源电位；以及第三节点和第四节点，它们分别与作为驱动对象的电机的2个端子连接，在所述电机驱动电路中，所述第一H桥电路包含：

第一N沟道EDMOS晶体管，其在N型的半导体衬底中配置于P型的第一杂质区域，连接于所述第二节点与所述第三节点之间；

第一P沟道LDMOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于P型的第二杂质区域，连接于所述第一节点与所述第三节点之间；

第二N沟道EDMOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于P型的第三杂质区域，连接于所述第二节点与所述第四节点之间；以及

第二P沟道LDMOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于P型的第四杂质区域，连接于所述第一节点与所述第四节点之间，

所述第一杂质区域与所述第三杂质区域之间的距离小于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间的距离、小于所述第三杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离且小于所述第二杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电机驱动电路，其中，

所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间的距离、所述第三杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离以及所述第二杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离彼此相等。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的电机驱动电路，其中，

该电机驱动电路还具有：

与所述半导体衬底相同导电型的至少1个第一保护区域，其在所述半导体衬底中，在所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间，沿着所述第一杂质区域的靠所述第二杂质区域侧的边和所述第二杂质区域的靠所述第一杂质区域侧的边延伸；

与所述半导体衬底相同导电型的至少1个第二保护区域，其在所述半导体衬底中，在所述第三杂质区域与所述第四杂质区域之间，沿着所述第三杂质区域的靠所述第四杂质区域侧的边和所述第四杂质区域的靠所述第三杂质区域侧的边延伸；以及

与所述半导体衬底相同导电型的至少1个第三保护区域，其在所述半导体衬底中，在所述第二杂质区域与所述第四杂质区域之间，沿着所述第二杂质区域的靠所述第四杂质区域侧的边和所述第四杂质区域的靠所述第二杂质区域侧的边延伸。