[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

晶圆，包括多个第一芯片以及将所述多个第一芯片分隔开来的多条切割道，其中各所述第一芯片上具有芯片接合区；

图案化介电层，配置于所述晶圆上，所述图案化介电层包括多个开口、多个点胶槽以及多个流道，所述多个开口分别暴露出多个芯片接合区，所述多个点胶槽分别位于所述多条切割道上，所述多个流道分别连通所述多个点胶槽与所述多个芯片接合区，其中各所述芯片接合区对应连通至少一所述点胶槽；

多个第二芯片，分别配置于所述多个芯片接合区；以及

底填胶体，位于所述多个点胶槽及所述多个流道内并填充于所述多个第一芯片与所述多个第二芯片之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述多个第一芯片分别以相邻的两个所述第一芯片为一组而划分出多个第一芯片组区，于各所述第一芯片组区中隔开两个所述第一芯片的所述切割道上具有一个所述点胶槽，且两个所述第一芯片上的所述芯片接合区连通所述点胶槽。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述多个第一芯片分别以2x2的矩阵排列的四个所述第一芯片为一组而划分出多个第一芯片组区，于各所述第一芯片组区中隔开四个所述第一芯片且彼此相交的两条所述切割道的相交处具有一个所述点胶槽，且四个所述第一芯片上的所述芯片接合区连通所述点胶槽。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述多个第二芯片分别以多个凸块电性连接所述多个第一芯片。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其中所述多个流道的数量对应于所述多个芯片接合区的数量，且所述多个流道的数量大于所述多个点胶槽的数量。

6.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，包括多个第一芯片以及将所述多个第一芯片分隔开来的多条切割道，其中各所述第一芯片上具有芯片接合区；

形成图案化介电层于所述晶圆上，其中所述图案化介电层包括多个开口、多个点胶槽以及多个流道，所述多个开口分别暴露出多个芯片接合区，所述多个点胶槽分别位于所述多条切割道上，所述多个流道分别连通所述多个点胶槽与所述多个芯片接合区，其中各所述芯片接合区对应连通至少一所述点胶槽；

分别配置多个第二芯片至所述多个芯片接合区；以及

配置底填胶体至所述多个点胶槽，使部分所述底填胶体从所述多个点胶槽沿着所述多个流道而往连通的所述多个芯片接合区流动，且填充于所述多个第一芯片与所述多个第二芯片之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，其中形成所述图案化介电层的步骤中，还包括：

形成介电层于所述晶圆上；以及

移除所述晶圆上的部分所述介电层而形成所述多个开口、所述多个点胶槽以及所述多个流道，其中所述多个第一芯片分别以相邻的两个所述第一芯片为一组而划分出多个第一芯片组区，于各所述第一芯片组区中隔开两个所述第一芯片的所述切割道上具有一个所述点胶槽，且两个所述第一芯片上的所述芯片接合区连通所述点胶槽。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，其中形成所述图案化介电层的步骤中，还包括：

形成介电层于所述晶圆上；以及

移除所述晶圆上的部分所述介电层而形成所述多个开口、所述多个点胶槽以及所述多个流道，其中所述多个第一芯片分别以2x2的矩阵排列的四个所述第一芯片为一组而划分出多个第一芯片组区，于各所述第一芯片组区中隔开四个所述第一芯片且彼此相交的两条所述切割道的相交处具有一个所述点胶槽，且四个所述第一芯片上的所述芯片接合区连通所述点胶槽。

9.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，其中所述多个第二芯片分别以多个凸块电性连接所述多个第一芯片。

10.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法，其特征在于，其中所述多个流道的数量对应于所述多个芯片接合区的数量，且所述多个流道的数量大于所述多个点胶槽的数量。