[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

形成一鳍状结构于一基板上，该鳍状结构具有交替的多个第一半导体层和多个第二半导体层的一堆叠，其中该些第一半导体层和该些第二半导体层包含多个第一部分，该些第一部分位于沿着该些第一半导体层和该些第二半导体层的一长度的一第二部分的任一侧上，该些第一半导体层和该些第二半导体层由不同的材料形成；

移除该些第一半导体层的该第二部分以形成多个开口；

形成一掩模层于该些开口上方的该些第二半导体层中的最顶层的该第二部分上；以及

当该掩模层于该些开口上方的该些第二半导体层中的最顶层的该第二部分上时，使用一激光选择性退火该些第一半导体层和该些第二半导体层的该些第一部分，以使来自该些第一半导体层和该些第二半导体层的该些第一部分的材料彼此结合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该激光具有150nm至2300nm的一波长。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些第一半导体层和该些第二半导体层是选自于由硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、锗锡(GeSn)、硅/硅锗/锗/锗锡(Si/SiGe/Ge/GeSn)、硅锗锡(SiGeSn)及其组合所组成的群组。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该些第一半导体层包含Si_xGe_1-x，其中0.1≤x≤0.9，并且该些第二半导体层包含硅(Si)或锗(Ge)。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些第二半导体层的一厚度t2与该些第一半导体层的一厚度t1的关系为t2/t1＝0.2～5。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些第一半导体层和该些第二半导体层彼此结合的该些第一部分的一厚度ts和该些第二半导体层的一厚度t2的关系为ts/t2＝(0.15～6)*n，其中n为该些第二半导体层的数量。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含在照射该些第一半导体层和该些第二半导体层的该些第一部分之后移除该掩模层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包含形成一栅极电极结构围绕该些第二半导体层。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

形成一第一半导体层于一基板上；

形成一第二半导体层于该第一半导体层上；

形成另一个第一半导体层于该第二半导体层上；

形成另一个第二半导体层于该另一个第一半导体层上，其中该些第一半导体层和该些第二半导体层由不同的材料形成；

图案化该些第一及第二半导体层以形成一鳍状结构；

其中该鳍状结构包含一通道区域和在该通道区域的两侧上的多个源极/漏极区域；

移除该通道区域中一部分的该些第一半导体层以形成多个开口；

形成一掩模层于该些开口上方的该些第二半导体层中的最顶层上；以及

当该掩模层于该些开口上方的该些第二半导体层中的最顶层上时，使用一激光选择性地退火该些第一半导体层和该些第二半导体层的该些源极/漏极区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该激光具有150nm至2300nm的一波长。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该些第一半导体层和该些第二半导体层是选自于由硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、锗锡(GeSn)、硅/硅锗/锗/锗锡(Si/SiGe/Ge/GeSn)、硅锗锡(SiGeSn)及其组合所组成的群组。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该些第一半导体层包含Si_xGe_1-x，其中0.1≤x≤0.9，并且该些第二半导体层包含硅(Si)或锗(Ge)。