[发明专利]一种薄膜晶体管及GOA电路在审
申请号: | 201810989833.3 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN109166912A | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 田新斌;徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 漏极 源极 空间利用率 自加热效应 寄生电容 平行设置 | ||
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括条状源极分支和条状漏极分支;
其中,所述条状源极分支和所述条状漏极分支平行设置。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括设于所述条状源极分支和所述条状漏极分支下方或上方的与所述条状源极分支和所述条状漏极分支相互绝缘的栅极。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述条状源极分支包括第一主体部和第一连接部,所述第一主体部的宽度小于所述第一连接部的宽度;所述条状漏极分支包括第二主体部和第二连接部,所述第二主体部的宽度小于所述第二连接部的宽度。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一主体部的宽度为4~6微米,所述第二主体部的宽度为4~20微米。
5.一种GOA电路,其特征在于,包括:多个沿第一方向间隔排布的薄膜晶体管模块,每一所述薄膜晶体管模块包括多个薄膜晶体管,每一所述薄膜晶体管模块包括源极、与源极相对设置的漏极、源极金属线和漏极金属线;
所述源极包括多个沿第二方向间隔排布的多个条状源极分支,所述漏极包括多个沿第二方向间隔排布的多个条状漏极分支,每一条状源极分支与每一条状漏极分支对应设置,每一所述条状源极分支和对应的所述条状漏极分支形成一所述薄膜晶体管;
多个所述条状源极分支电性连接源极金属线,多个所述条状漏极分支电性连接漏极金属线;
其中,每一所述薄膜晶体管模块的所述源极金属线电性连通,每一所述薄膜晶体管模块的所述漏极金属线电性连通。
6.根据权利要求5所述的GOA电路,其特征在于,每一所述薄膜晶体管模块中的所述条状源极分支和所述条状漏极分支平行于第一方向设置,每一所述薄膜晶体管模块中的所述源极金属线和所述漏极金属线平行于第二方向设置。
7.根据权利要求6所述的GOA电路,其特征在于,所述GOA电路进一步包括第一连接线和/或第二连接线;
所述第一连接线、所述第二连接线平行于第一方向设置,所述第一连接线、所述第二连接线设置在所述薄膜晶体管模块的相对两侧;
每一所述薄膜晶体管模块的所述源极金属线通过所述第一连接线电性连通,每一所述薄膜晶体管模块的所述漏极金属线通过所述第二连接线电性连通。
8.根据权利要求7所述的GOA电路,其特征在于,相邻所述薄膜晶体管模块的所述源极金属线或所述漏极金属线重叠设置。
9.根据权利要求7所述的GOA电路,其特征在于,每一所述条状源极分支包括第一主体部和第一连接部,所述第一连接部由所述第一主体部引出并延伸至所述源极金属线。
10.根据权利要求9所述的GOA电路,其特征在于,每一所述条状漏极分支包括第二主体部和第二连接部,所述第二连接部由所述第二主体部引出并延伸至所述漏极金属线。
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