[发明专利]一种薄膜晶体管及GOA电路在审

专利信息
申请号: 201810989833.3 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN109166912A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 田新斌;徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L29/417 分类号: H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 漏极 源极 空间利用率 自加热效应 寄生电容 平行设置
【说明书】:

发明公开了一种薄膜晶体管及GOA电路。该薄膜晶体管包括条状源极分支和条状漏极分支;其中,条状源极分支和条状漏极分支平行设置。通过上述方式,本发明能够提高薄膜晶体管的空间利用率、减少薄膜晶体管的寄生电容和自加热效应。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种薄膜晶体管及GOA电路。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等,在平板显示领域中占主导地位。

随着技术飞速进步,目前的液晶面板朝着高集成度、低成本持续发展,其中一项重要技术应用就是阵列基板栅极驱动(Gate Driver on Array,GOA)技术。GOA电路能够替代外接的驱动晶片,采用常规曝光等工艺就可以制备在薄膜晶体管阵列基板(TFT ArraySubstrate)左右两侧,可降低产品生产成本及减少绑定制程(bonding)的模组不良率、提升产能,同时能使液晶面板实现高集成化,满足客户对窄边框、轻薄化产品需求。

如图1所示,现有的GOA电路中的薄膜晶体管(TFT)一般采用“U”形设计,具体来说,“U型”薄膜晶体管包括呈条状设置的漏极分支C1和呈U形设置的源极分支C2,其中,栅极C3设置在漏极分支C1和源极分支C2的下方且与漏极分支C1和源极分支C2相互绝缘设置。在实际应用中,“U形”薄膜晶体管存在空间利用率较低、寄生电容较大、shot修补较为困难及自加热效应(self-heating stress,SHE)较严重等问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及GOA电路,能够提高薄膜晶体管的空间利用率、减少薄膜晶体管的寄生电容和自加热效应。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括条状源极分支和条状漏极分支;其中,条状源极分支和条状漏极分支平行设置。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种GOA电路,包括:多个沿第一方向间隔排布的薄膜晶体管模块,每一薄膜晶体管模块包括多个薄膜晶体管,每一薄膜晶体管模块包括源极、与源极相对设置的漏极、源极金属线和漏极金属线;源极包括多个沿第二方向间隔排布的多个条状源极分支,漏极包括多个沿第二方向间隔排布的多个条状漏极分支,每一条状源极分支与每一条状漏极分支对应设置,每一条状源极分支和对应的条状漏极分支形成一薄膜晶体管;多个条状源极分支电性连接源极金属线,多个条状漏极分支电性连接漏极金属线;其中,每一薄膜晶体管模块的源极金属线电性连通,每一薄膜晶体管模块的漏极金属线电性连通。

本发明的有益效果是:本发明的薄膜晶体管及GOA电路包括条状源极分支和条状漏极分支,其中,条状源极分支和条状漏极分支平行设置。通过上述方式,本发明能够提高薄膜晶体管的空间利用率、减少薄膜晶体管的寄生电容和自加热效应。

附图说明

图1是一种现有的GOA电路中的薄膜晶体管的结构示意图;

图2是本发明第一实施例的GOA电路的结构示意图;

图3是图2所示GOA电路中一薄膜晶体管的示意图;

图4是本发明第二实施实例的GOA电路的结构示意图。

具体实施方式

在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件,所属领域中的技术人员应可理解,制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的基准。下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。

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