[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板；

积层体，具有多个电极层，这些电极层设置在所述基板上，在第1方向上相互分开而积层，且在与所述基板的上表面平行的第2方向上延伸；

多个第1部件，设置在所述积层体内，且在所述第1方向及所述第2方向上延伸；以及

至少一个第1绝缘部件，设置在所述积层体内，以在所述第2方向上将所述多个电极层分成多个区域的方式，在所述第1方向、及与所述第2方向交叉且与所述基板的上表面平行的第3方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个第1部件的至少一个与所述第1绝缘部件交叉。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中从所述第1方向观察时，所述多个第1部件的至少一个与所述第1绝缘部件以T字形状或十字形状交叉。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个第1部件及所述第1绝缘部件包含氧化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

多个柱状部，设置在所述积层体内，在所述第1方向上延伸，且分别具有半导体部；以及

第2绝缘部件，设置在所述积层体内，以将所述积层体上部的电极层在所述第3方向分开的方式在所述第2方向上延伸；且

在设置在所述多个柱状部所处的第1区域、与所述第1绝缘部件所处的第2区域之间、且所述第2绝缘部件的一部分所处的第3区域，所述积层体的形状为阶梯状。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

配线，设置在所述基板与所述积层体之间；

多个柱状部，设置在所述积层体内，在所述第1方向上延伸，且分别具有半导体部；以及

贯通孔，在设置在所述多个柱状部所处的第1区域、与所述第1绝缘部件所处的第2区域之间的第3区域，贯通所述积层体且连接于所述配线。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

在所述第2区域配置着多个第1绝缘部件，

还具备多个第3绝缘部件，设置在所述积层体内，且在所述第1绝缘部件间以相互隔离的方式配置在所述第3方向上。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

在所述第2区域配置着多个第1绝缘部件，

所述积层体的一部分位于所述第1绝缘部件间，

所述积层体的所述第2方向的两端的形状为阶梯状。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

支撑部件，设置在所述基板与所述积层体之间，

所述第1绝缘部件具有与所述多个第1部件的至少一个交叉的交叉部，

所述交叉部位于所述支撑部件上。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第2绝缘部件，设置在所述积层体内，以将所述积层体上部的电极层在所述第3方向分开的方式在所述第2方向上延伸；以及

第4绝缘部件，设置在所述积层体内，与所述多个第1部件及所述第2绝缘部件交叉，以将所述积层体上部的电极层在所述第3方向分开的方式在所述第2方向上延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

所述第4绝缘部件在所述第2方向上位于所述第1绝缘部件及所述第2绝缘部件之间。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

所述第2绝缘部件及所述第4绝缘部件包含氧化硅。

13.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

从所述第1方向观察，所述第4绝缘部件与所述多个第1部件以十字形状交叉，且与所述第2绝缘部件以T字形状交叉。