[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1存储单元，包含电阻变化元件及选择器；

第2存储单元，包含电阻变化元件及选择器；

第1导电体，电连接于所述第1存储单元的第1端；

第2导电体，将所述第1存储单元的第2端与所述第2存储单元的第1端之间电连接；

第3导电体，电连接于所述第2存储单元的第2端；

第1定电流源，能够经由所述第1导电体与所述第1存储单元电连接；

第2定电流源，能够经由所述第3导电体与所述第2存储单元电连接；

第1读出放大器，基于从所述第1定电流源向所述第1存储单元流动的电流，从所述第1存储单元读出数据；以及

第2读出放大器，基于从所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流，从所述第2存储单元读出数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

还具备第1存储单元阵列及第2存储单元阵列，所述第1存储单元阵列及第2存储单元阵列分别包含所述第1存储单元、所述第2存储单元、所述第1导电体、所述第2导电体及所述第3导电体。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第1读出放大器基于从所述第1定电流源向所述第1存储单元阵列的所述第1存储单元流动的电流、或从所述第1定电流源向所述第2存储单元阵列的所述第1存储单元流动的电流，读出数据，

所述第2读出放大器基于从所述第1存储单元阵列的所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流、或从所述第2存储单元阵列的所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流，读出数据。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

在从所述第1存储单元阵列及所述第2存储单元阵列读出数据的动作时，所述第1存储单元阵列的所述第2导电体及所述第2存储单元阵列的所述第2导电体同时被选择。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

在从所述第1存储单元阵列及所述第2存储单元阵列读出数据的动作时，

所述第1存储单元阵列的所述第1导电体及所述第2存储单元阵列的所述第3导电体同时被选择，

所述第1存储单元阵列的所述第3导电体及所述第2存储单元阵列的所述第1导电体同时被选择。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第3存储单元，包含磁阻效应元件及选择器；

第4存储单元，包含磁阻效应元件及选择器；

第4导电体，将所述第3存储单元的第2端与所述第4存储单元的第1端之间电连接；以及

第5导电体，电连接于所述第4存储单元的第2端；且

所述第3导电体将所述第2存储单元的第2端与所述第3存储单元的第1端之间电连接，

所述第1定电流源能够经由所述第3导电体与所述第3存储单元电连接，

所述第2定电流源能够经由所述第5导电体与所述第4存储单元电连接，

所述第1读出放大器基于从所述第1定电流源向所述第3存储单元流动的电流，从所述第3存储单元读出数据，

所述第2读出放大器基于从所述第4存储单元向所述第2定电流源流动的电流，从所述第4存储单元读出数据。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，

还具备第1存储单元阵列及第2存储单元阵列，所述第1存储单元阵列及第2存储单元阵列分别包含所述第1存储单元、所述第2存储单元、所述第3存储单元、所述第4存储单元、所述第1导电体、所述第2导电体、所述第3导电体、所述第4导电体及所述第5导电体。