[发明专利]半导体存储装置

说明书

一实施方式的半导体存储装置具备：第1及第2存储单元，分别包含电阻变化元件及选择器；第1导电体，电连接于所述第1存储单元的第1端；第2导电体，将所述第1存储单元的第2端与所述第2存储单元的第1端之间电连接；第3导电体，电连接于所述第2存储单元的第2端；第1定电流源，能够经由所述第1导电体与所述第1存储单元电连接；第2定电流源，能够经由所述第3导电体与所述第2存储单元电连接；第1读出放大器，基于从所述第1定电流源向所述第1存储单元流动的电流，从所述第1存储单元读出数据；以及第2读出放大器，基于从所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流，从所述第2存储单元读出数据。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-45509号(申请日：2018年3月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式主要涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知有一种使用电阻变化元件的半导体存储装置。

发明内容

实施方式提供一种确保读出稳定性的同时，能够抑制电路面积增加的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具备第1存储单元、第2存储单元、第1导电体、第2导电体、第3导电体、第1定电流源、第2定电流源、第1读出放大器及第2读出放大器。所述第1存储单元及所述第2存储单元各自包含电阻变化元件及选择器。所述第1导电体电连接于所述第1存储单元的第1端。所述第2导电体将所述第1存储单元的第2端与所述第2存储单元的第1端之间电连接。所述第3导电体电连接于所述第2存储单元的第2端。所述第1定电流源能够经由所述第1导电体与所述第1存储单元电连接。所述第2定电流源能够经由所述第3导电体与所述第2存储单元电连接。所述第1读出放大器是基于从所述第1定电流源向所述第1存储单元流动的电流，从所述第1存储单元读出数据。所述第2读出放大器是基于从所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流，从所述第2存储单元读出数据。

附图说明

图1是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的构成的框图。

图2是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的存储单元阵列的构成的电路图。

图3是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的存储单元阵列的构成的剖视图。

图4是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的存储单元阵列的布局的俯视图。

图5是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的磁阻效应元件的构成的剖视图。

图6是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的存储单元阵列的行方向的连接关系的电路图。

图7是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的存储单元阵列的列方向的连接关系的电路图。

图8是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的读出电路的构成的电路图。

图9是用来说明第1实施方式的磁性存储装置的读出电路的构成的电路图。

图10是用来说明第1实施方式的磁性存储装置中的存储单元的选择动作的示意图。

图11是用来说明第1实施方式的磁性存储装置中的读出动作时的电流路径的示意图。

图12是用来说明第1实施方式的磁性存储装置中的读出动作时的电流路径的示意图。

图13是用来说明第1实施方式的磁性存储装置中的读出动作时的电流路径的示意图。

图14是用来说明第1实施方式的磁性存储装置中的读出动作的时序图。

图15是用来说明第1实施方式的磁性存储装置中的读出动作的时序图。