[发明专利]物理量传感器、电子设备和移动体有效
申请号: | 201810993069.7 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109425757B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 河野秀逸 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G01P15/125 | 分类号: | G01P15/125 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张永明;玉昌峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物理量 传感器 电子设备 移动 | ||
1.一种物理量传感器,其特征在于,包括:
基底基板,其具备用于形成布线的槽部,在所述槽部内具有凸部;以及
传感器基板,其具备与设置于所述凸部的所述布线连接的接合部和用于检测物理量的固定电极以及可动电极,
基底基板为绝缘材料,传感器基板为硅,
设置于所述凸部的所述布线和所述接合部之间形成硅化物层而电连接,
所述布线为多层膜,
在覆盖所述凸部的区域中,与所述接合部相接的层是形成硅化物层的贵金属层,所述贵金属层和所述基底基板之间的空间是金属层,
在除所述凸部外的区域中,从所述基底基板侧开始依次层叠所述金属层、所述贵金属层、紧贴层和绝缘层,
所述紧贴层位于所述基底基板与所述绝缘层之间,
所述贵金属层由Ru、Pt、Pd、Ir、Rh、Os中的一种或多种材料构成,所述金属层是ITO、FTO、掺杂Ga的ZnO、Al、Au、Pt、Ti、W、Cr。
2.根据权利要求1所述的物理量传感器,其特征在于,所述贵金属层的厚度为10nm以上200nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的物理量传感器,其特征在于,
所述绝缘层由SiO2、SiOF、SiOC、SiON、SiH、HfO2、Al2O3、La2O3、TiO2、Ta2O5、类金刚石碳膜中的一种或多种材料构成。
4.根据权利要求1或2所述的物理量传感器,其特征在于,
所述紧贴层由Ti、TiW、W、TiN、Ta、TaW、TaN、Ni和Co中的一种或多种材料构成。
5.根据权利要求4所述的物理量传感器,其特征在于,所述绝缘层为两层。
6.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1至5中任一项所述的物理量传感器。
7.一种移动体,其特征在于,具备权利要求1至5中任一项所述的物理量传感器。
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