[发明专利]物理量传感器、电子设备和移动体

说明书

本发明提供一种批量生产性优异，具有高可靠性的物理量传感器、电子设备和移动体。物理量传感器(100)中，设置在凸部(18)的布线(20)(22、24)与接合部(30)形成硅化物层(31)并电连接，布线(20)(22、24)是多层膜，在覆盖凸部(18)的区域，与接合部(30)相接的层是形成硅化物层(31)的贵金属层(34)，贵金属层(34)和基地基板(10)之间是金属层(32)，在除凸部(18)外的区域，从基底基板(10)侧开始依次层叠金属层(32)、贵金属层(34)、紧贴层(36)和绝缘层(38)。

技术领域

本发明涉及物理量传感器、电子设备和移动体。

背景技术

一直以来，作为检测加速度和角速度等物理量的物理量传感器，已知其具有下述构造，即、包括固定电极和可动电极，后者相对于固定电极有间隙地并排设置，并能够在固定方向上移位。

在这样的物理量传感器中，固定电极和可动电极之间的间隙根据可动电极的位移而变化，通过该间隙的变化来检测固定电极和可动电极之间产生的静电容量的变化，从而检测加速度和角速度等物理量的变化。

在专利文献1中公开了一种半导体元件(物理量传感器)，其在形成于绝缘基板(基底基板)上的布线槽内的凸部上形成布线，在凸部形成硅化物化合物，由此，具有固定电极和可动电极的硅体(传感器基板)和布线之间电连接，通过该布线向外部输出在固定电极和可动电极之间产生的静电容量的变化。

然而，在专利文献1所记载的物理量传感器中，如果与传感器基板连接的布线的厚度比必要的大，则伴随着过量的硅化物化导致的大量的原子移动，会产生空隙(柯肯达尔空洞)。因此，存在下述问题，即、由于两个基板接合时的热量和其后安装在外部基板上时的热量，导致在空隙(柯肯达尔空洞)中产生裂缝，布线断线，可靠性显著降低。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开第2014-16165号公报。

发明内容

本发明用于解决上述技术课题中的至少一部分课题而提出，可以通过如下方式或应用例来实现。

[应用例1]本应用例涉及的物理量传感器，其特征在于，包括：基底基板，其具被用于形成布线的槽部，在上述槽部内具有凸部；以及传感器基板，其具备与设置于上述凸部的上述布线连接的接合部和用于检测物理量的固定电极以及可动电极，基底基板为绝缘材料，传感器基板为硅，设置于上述凸部的上述布线和上述接合部之间形成硅化物层而电连接，上述布线为多层膜，在覆盖上述凸部的区域，与上述接合部相接的层是形成硅化物层的贵金属层，上述贵金属层和上述基底基板之间的空间是金属层，在除上述凸部外的区域，从上述基底基板侧开始依次层叠上述金属层、上述贵金属层、紧贴层和绝缘层。

根据该应用例，由于设置在凸部上的布线是形成硅化物层的贵金属层和金属层的多层膜，因此，可以调整贵金属层和金属层的厚度。因此，通过增厚金属层，可以使贵金属层变薄，从而不会发生过量的硅化物化，且移动的原子少。因此，在硅化物层中不会产生空隙，因而不易产生裂缝，能够提高传感器基板和布线之间的电连接的可靠性。因此，能够获得具有高可靠性的物理量传感器。

[应用例2]在上述应用例所记载的物理量传感器中，优选上述贵金属层的厚度为10nm以上200nm以下。

根据本应用例，由于贵金属层的厚度为10nm以上，因此，能够形成充分的连续膜，并能够确保传感器基板和布线之间的电连接。另外，由于贵金属层的厚度为200nm以下，因此，难以产生由于过量的硅化物化导致的空隙，且难以发生凸部的角部的断线，并且通过硅化物层，能够确保传感器基板和布线之间的电连接。

[应用例3]在上述应用例所记载的物理量传感器中，优选上述贵金属层由Ru、Pt、Pd、Ir、Rh、Os中的一种或多种材料构成。