[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 201810993366.1 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109545654B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 田中孝佳;大跡明 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其特征在于包括:
疏水剂供给工序,通过将使形成有图案的基板的表面疏水化的疏水剂的液体供给至所述基板的表面,而形成覆盖所述基板的整个表面的所述疏水剂的液膜;
第1有机溶剂供给工序,在所述疏水剂供给工序之后,将表面张力低于水的第1有机溶剂的液体供给至由所述疏水剂的液膜覆盖着的所述基板的表面,由此以所述第1有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述疏水剂的液体;
第2有机溶剂供给工序,在所述第1有机溶剂供给工序之后,将表面张力低于所述第1有机溶剂的第2有机溶剂的液体供给至由所述第1有机溶剂的液膜覆盖着的所述基板的表面,由此以所述第2有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述第1有机溶剂的液体;以及
干燥工序,在所述第2有机溶剂供给工序之后,使附着着所述第2有机溶剂的液体的所述基板干燥,
所述第1有机溶剂供给工序是在所述疏水剂供给工序之后,将被预先加热至高于被以所述第2有机溶剂供给工序供给至所述基板前的所述第2有机溶剂的液温的温度并且表面张力低于所述水的所述第1有机溶剂的液体供给至由所述疏水剂的液膜覆盖着的所述基板的表面,由此以所述第1有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述疏水剂的液体的工序。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,所述第2有机溶剂供给工序是在所述第1有机溶剂供给工序之后,将被预先加热至高于室温的温度并且表面张力低于所述第1有机溶剂的所述第2有机溶剂的液体供给至由所述第1有机溶剂的液膜覆盖着的所述基板的表面,由此以所述第2有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述第1有机溶剂的液体的工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于还包括:溶剂加热工序,利用配置在所述基板的上方或下方的室内加热器对所述基板上的所述第2有机溶剂进行加热。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述第1有机溶剂是醇,
所述第2有机溶剂是氟系有机溶剂。
5.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
基板保持单元,水平地保持在表面形成有图案的基板;
疏水剂供给单元,将使所述基板的表面疏水化的疏水剂的液体供给至由所述基板保持单元保持着的所述基板的表面;
第1有机溶剂供给单元,将表面张力低于水的第1有机溶剂的液体供给至由所述基板保持单元保持着的所述基板;
第2有机溶剂供给单元,将表面张力低于所述第1有机溶剂的第2有机溶剂的液体供给至由所述基板保持单元保持着的所述基板;
干燥单元,使由所述基板保持单元保持着的所述基板干燥;
第1加热器,对要供给至由所述基板保持单元保持着的所述基板的所述第1有机溶剂的液体进行加热;以及
控制装置,对所述疏水剂供给单元、第1有机溶剂供给单元、第2有机溶剂供给单元及干燥单元进行控制,
所述控制装置执行如下工序:
疏水剂供给工序,通过将使所述基板的表面疏水化的所述疏水剂的液体供给至所述基板的表面而形成覆盖所述基板的整个表面的所述疏水剂的液膜;
第1有机溶剂供给工序,在所述疏水剂供给工序之后,将表面张力低于所述水的所述第1有机溶剂的液体供给至由所述疏水剂的液膜覆盖着的所述基板的表面,由此以所述第1有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述疏水剂的液体;
第2有机溶剂供给工序,在所述第1有机溶剂供给工序之后,将表面张力低于所述第1有机溶剂的所述第2有机溶剂的液体供给至由所述第1有机溶剂的液膜覆盖着的所述基板的表面,由此以所述第2有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述第1有机溶剂的液体;以及
干燥工序,在所述第2有机溶剂供给工序之后,使附着着所述第2有机溶剂的液体的所述基板干燥,
所述第1有机溶剂供给工序是在所述疏水剂供给工序之后,将被预先加热至高于被以所述第2有机溶剂供给工序供给至所述基板前的所述第2有机溶剂的液温的温度并且表面张力低于所述水的所述第1有机溶剂的液体供给至由所述疏水剂的液膜覆盖着的所述基板的表面,由此以所述第1有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述疏水剂的液体的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造