[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。通过将疏水剂的液体供给至基板(W)的表面而形成覆盖基板(W)的整个表面的疏水剂的液膜。之后，将表面张力低于水的第1有机溶剂的液体供给至由疏水剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第1有机溶剂的液体来置换基板(W)上的疏水剂的液体。之后，将表面张力低于第1有机溶剂的第2有机溶剂的液体供给至由第1有机溶剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第2有机溶剂的液体来置换基板(W)上的第1有机溶剂的液体。之后，使附着着第2有机溶剂的液体的基板(W)干燥。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的基板处理方法及基板处理装置。在作为处理对象的基板中，例如，包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板、有机电致发光(electroluminescence，EL)显示装置等平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用基板等。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，会使用对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。美国专利公开号US2009/0311874A1的各实施方式中揭示有：为了防止图案的倒塌而将斥水性保护膜形成在基板的表面。

例如，在US 2009/0311874 A1的第2实施方式中揭示了使用单片式的基板处理装置的基板的处理。在所述处理中，将硫酸过氧化氢混合液(Sulfuric Acid HydrogenPeroxide Mixture，SPM)等药液、纯水、异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)等醇、硅烷偶联剂、IPA等醇及纯水依此顺序供给至基板。之后，进行甩去基板表面残留的纯水而使基板干燥的旋干(spin dry)处理。在基板干燥后，因硅烷偶联剂的供给而形成在基板的表面上的斥水性保护膜通过干法灰化(dry ashing)或臭氧处理等灰化处理而自基板去除。

US 2009/0311874 A1的第3实施方式中揭示了使用批量式的基板处理装置的基板的处理。在所述处理中，将SPM、纯水、IPA、稀释剂(thinner)、硅烷偶联剂、IPA及纯水依此顺序同时供给至多枚基板。之后，进行使基板干燥的干燥处理。在基板干燥后，因硅烷偶联剂的供给而形成在基板的表面上的斥水性保护膜通过干法灰化或臭氧处理等灰化处理而自基板去除。US 2009/0311874 A1的第3实施方式中记载有可使用氢氟醚(hydrofluoroether，HFE)等表面张力低的液体来进行干燥。

存在于邻接的两个图案之间的液体的表面张力越低，在基板的干燥过程中自液体施加至图案的力越低。US 2009/0311874 A1的第3实施方式中记载有：使用HFE等表面张力低的液体来使基板干燥。此时，将硅烷偶联剂、IPA及纯水以此顺序供给至基板，之后将HFE供给至基板。因此，是以HFE置换附着在基板上的纯水而非以HFE置换附着在基板上的IPA。

同纯水与IPA的亲和性相比，纯水与HFE的亲和性不是很高。因此，在以HFE置换附着在基板上的纯水并使所述基板干燥时，有时会在干燥前的基板上残留有微量的纯水。虽然在基板的表面形成有斥水性保护膜，但若使残留有所述表面张力高的液体(纯水)的基板干燥，则可能产生图案的倒塌。

发明内容

本发明的一实施方式提供一种基板处理方法，包括：疏水剂供给工序，通过将使形成有图案的基板的表面疏水化的疏水剂的液体供给至所述基板的表面而形成覆盖所述基板的整个表面的所述疏水剂的液膜；第1有机溶剂供给工序，在所述疏水剂供给工序之后，将表面张力低于水的第1有机溶剂的液体供给至由所述疏水剂的液膜覆盖着的所述基板的表面，由此以所述第1有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述疏水剂的液体；第2有机溶剂供给工序，在所述第1有机溶剂供给工序之后，将表面张力低于所述第1有机溶剂的第2有机溶剂的液体供给至由所述第1有机溶剂的液膜覆盖着的所述基板的表面，由此以所述第2有机溶剂的液体来置换所述基板上的所述第1有机溶剂的液体；以及干燥工序，在所述第2有机溶剂供给工序之后，使附着着所述第2有机溶剂的液体的所述基板干燥。