[发明专利]偏振非制冷红外焦平面探测器

权利要求书

1.一种偏振非制冷红外探测器，其中，包括：

阵列排列的多个探测器像元，所述探测器像元包括：包含读出电路的硅基片和所述硅基片之上的微桥结构，所述硅基片上设有电极与金属反射层，第一介质保护层覆盖所述金属反射层与所述电极，并开有第一通孔以露出所述电极，所述读出电路与所述电极电连接，所述微桥结构包括桥面和桥墩，其中，所述桥面从下到上依次包括支撑层、热敏电阻层、第二介质保护层、导电层、第三介质保护层、红外吸收层、第四介质保护层和偏振结构，所述偏振结构包括若干个依次平行排列的金属线条，所述桥墩从下到上依次包括支撑层、导电层和第三介质保护层，其中，所述支撑层在所述桥墩处开有第二通孔，所述第二通孔终止于所述电极，所述导电层通过所述第二通孔与所述电极电连接，所述第二介质保护层上开有第三通孔，所述第三通孔终止于所述热敏电阻层，所述热敏电阻层通过所述第三通孔与所述导电层电连接；

所述桥面的形状为正八边形，所述偏振结构的形状也为正八边形；

其中相邻两行两列的四个所述探测器像元为一个像元组，每个所述像元组中的多个所述探测器像元的偏振结构的设计相同，相互之间通过旋转得到。

2.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器，其中，

所述金属线条的宽度相等，所述金属线条之间等间距排列。

3.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器，其中，

所述金属线条的材料为以下其中之一：铝、钛、金、铂、铜、银、铝铜合金和铝硅铜合金。

4.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器，其中，

所述金属线条的宽度为0.18-0.4μm。

5.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器，其中，

所述金属线条的宽度与间距之差的绝对值小于0.1μm。

6.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器，其中，

所述金属线条的长宽比大于20:1。

7.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器，其中，

所述金属线条的厚度为0.18-0.4μm。

8.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器像元结构，其中，

所述第一、第二、第三和第四介质保护层的材料分别为以下其中之一：氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

9.根据权利要求1所述的偏振非制冷红外探测器像元结构，其中，

所述电极与所述导电层的材料分别为以下其中之一：钛、氮化钛、镍铬合金或钛铝合金。