[发明专利]偏振非制冷红外焦平面探测器有效
申请号: | 201810994366.3 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109309140B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 方辉;赵永强;潘泉 | 申请(专利权)人: | 北方广微科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09 |
代理公司: | 北京展翅星辰知识产权代理有限公司 11693 | 代理人: | 王文生 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 偏振 制冷 红外 平面 探测器 | ||
本申请提供一种偏振非制冷红外探测器,包括:阵列排列的多个探测器像元,所述探测器像元包括:包含读出电路的硅基片和所述硅基片之上的微桥结构,其中相邻两行两列的四个所述探测器像元为一个像元组,每个所述像元组中的多个所述探测器像元的偏振结构的设计相同,相互之间通过旋转得到。本申请的技术方案,在非制冷红外焦平面上的探测器像元的微桥结构上集成偏振结构,整个焦平面由多行多列探测器像元构成,每两行两列探测器像元为一个像元组,每个像元组中的多个探测器像元的偏振结构的设计相同,每个像元组中的多个探测器像元的偏振结构通过旋转得到,在进行不同偏振方向的偏振光强度相减扣除时,背景强度相互抵消,实现尽可能均匀的消光比。
技术领域
本申请涉及红外成像技术领域,尤其涉及一种偏振非制冷红外焦平面探测器。
背景技术
自从美国Honeywell公司在上个世纪九十年代公开其基于氧化钒(VOx)的非制冷红外焦平面(Infrared Focal Plane Array,简称IRFPA)探测器专利以来,主要发达国家都研发并生产了多种类似产品,广泛地应用于夜视、观瞄、枪瞄、导引等军事领域,以及安防监控、测温、森林防火、辅助驾驶等民用领域。中国也在2010年左右正式地进入了这个产业。
非制冷红外焦平面探测器通常由红外焦平面芯片、封装壳体、吸气剂、光学窗片组成,有的还包含半导体制冷片(Thermo Electric Cooler,简称TEC)。普通的红外焦平面芯片上由多行多列的微测热辐射计像元形成阵列,吸收目标辐射出来的红外线,将其转化为热,由此产生的温度变化引起热敏材料(最常见的是氧化钒或多晶硅)的电阻变化,通过读出电路读出该变化,进一步通过A/D转换(Analog-to-Digital Convert,模数转换)后导出到显示设备成像。图像上的灰度通常代表目标的冷热状况,因此这个过程通常被称为红外热成像。红外热成像是通过利用光强这一物理特性,反映目标的温度及辐射特性。
由于光是横波,因此具有偏振这另一重要物理特性。由于光的偏振特性,当光在在两种介质的界面反射时会产生偏振光,并且反射光会随着反射角的变化而变化。因此反射光中包含着界面的信息,可以通过分析反射光的偏振信息获得界面信息。偏振红外热成像就是为了实现这一目的而发展起来的技术。
为了获得红外线中的偏振信息,可以在红外热像仪的镜头外安装可旋转外置偏振片。自然光通过偏振片后会成为线偏振光,而通过改变偏振片的角度则可改变透过的红外光线的偏振方向。用户获取到不同偏振方向的偏振光的热图像之后,再进行后续处理,提取偏振信息。这一方法有三个缺点:1)外置偏振片的安装会受到红外热像仪本身的形状、体积等限制,光学元件复杂,光路系统复杂,成本较高,设计难度较大;2)成像不具有实时性,尤其是针对快速运动的物体;3)外置偏振片与红外探测器之间存在相当的距离,经过偏振片的光线在红外探测器焦平面的不同像元上会形成窜扰,使得实际消光比远远低于偏振片自身的消光比。
由于外置偏振片的这些缺点,有人在探测器像元上直接集成偏振结构来获取偏振光信息,如图1所示。这种方法的优点就是不用使用外置偏振片,而且可以获取实时信息,并且无窜扰。
常用的偏振结构通常是不同偏振方向的金属光栅,比如0°、45°、90°、135°四个偏振方向,或者0°、60°、120°三个偏振方向(此处假设面对页面时从左往右代表0°方向,角度按逆时针方向递增)。通过将不同偏振方向上获得的偏振光光强进行处理,即可获得偏振信息。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北方广微科技有限公司,未经北方广微科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810994366.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的