[发明专利]一种半导体器件防蚀剂清洗剂及制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件防蚀剂清洗剂，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：柠檬酸35-45份、金属防蚀剂14-21份、聚乙二醇13-20份、氢氧化铵6-13份、三聚磷酸钠4-9份、缓蚀剂14-21份、渗透剂3-8份、去离子水24-36份。

2.根据权利要求1所述的半导体器件防蚀剂清洗剂，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：柠檬酸38-42份、金属防蚀剂16-19份、聚乙二醇15-18份、氢氧化铵8-10份、三聚磷酸钠5-8份、缓蚀剂17-19份、渗透剂4-6份、去离子水27-33份。

3.根据权利要求2所述的半导体器件防蚀剂清洗剂，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：柠檬酸40份、金属防蚀剂18份、聚乙二醇17份、氢氧化铵9份、三聚磷酸钠7份、缓蚀剂18份、渗透剂5份、去离子水30份。

4.根据权利要求1-3任一所述的半导体器件防蚀剂清洗剂，其特征在于，所述金属防蚀剂为苯甲酸钠和苯并三氮唑中的一种或二种的混合。

5.根据权利要求1-3任一所述的半导体器件防蚀剂清洗剂，其特征在于，所述渗透剂为烷基酚聚氧乙烯醚和三乙醇胺中的一种或二种的混合。

6.根据权利要求1-3任一所述的半导体器件防蚀剂清洗剂，其特征在于，所述缓蚀剂为乌洛托品、苯丙三氮唑、三乙醇胺、硫脲中的至少一种。

7.一种根据权利要求1-3任一所述的半导体器件防蚀剂清洗剂的制备方法，其特征在于，步骤如下：

1）按照配方将柠檬酸加入到1/2的去离子水中溶解，得到A溶液；

2）按照配方将氢氧化铵、三聚磷酸钠加入到剩余1/2的去离子水中溶解、过滤，得到B溶液；

3）按照配方将金属防蚀剂、缓蚀剂和渗透剂加入到聚乙二醇中溶解，得到C溶液；

4）最后将上述步骤1）、步骤2）和步骤3）的A、B、C三种溶液混合均匀，即得半导体器件防蚀剂清洗剂。

8.一种根据权利要求1-3任一所述的半导体器件防蚀剂清洗剂在半导体器件清洗中的用途。

9.一种根据权利要求1-3任一所述的半导体器件防蚀剂清洗剂的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：将待清洗的半导体器件放在清洗剂中进行超声波清洗，其清洗时间为10分钟-30分钟，清洗温度为20℃-30℃。

10.根据权利要求9所述的半导体器件防蚀剂清洗剂的使用方法，其特征在于，所述清洗时间15分钟-20分钟，清洗温度为25℃。