[发明专利]一种半导体器件防蚀剂清洗剂及制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件防蚀剂清洗剂，包括以下按照重量份的原料：柠檬酸35‑45份、金属防蚀剂14‑21份、聚乙二醇13‑20份、氢氧化铵6‑13份、三聚磷酸钠4‑9份、缓蚀剂14‑21份、渗透剂3‑8份、去离子水24‑36份；采用天然提取物柠檬酸，无腐蚀无污染，具有优异的洗净能力和浸润能力，刺激性极低，长时间使用对人体无害，对半导体器件的表面没有任何损伤，不会腐蚀金属部分，使用安全可靠，是一种绿色环保、不损伤半导体器件的清洗剂，与配伍的金属防蚀剂共同作用产生更强的清洗和保护效果，能适用于不同尺寸半导体器件的清洗。

技术领域

本发明涉及电子器件清洗剂技术领域，具体是一种半导体器件防蚀剂清洗剂及制备方法。

背景技术

在电子工业中，制造和使用非晶硅太阳电池、液晶平面显示器、半导体元件、半导体器件和集成电路等，都需要清洗处理，尤其是半导体器件的清洗时，针对玻璃衬底表面、TCO膜表面、半导体片表面和所用器皿表面的油脂类沾污，以及离子型和原子型杂质沾污的去除。传统的清洗剂含易燃易爆成分，有机溶剂含量高、挥发性强，环境污染严重，危害身体健康且生产成本较高。

目前使用的清洗剂是采用酸碱类化学试剂和有机溶剂，如用双氧水、氨水、盐酸和水配制成清洗液；再如，用甲苯、丙酮和乙醇进行去油脂类处理，然后用煮硫酸和煮王水清洗。这类清洗剂需用酸、碱类化学试剂及有机溶剂，不仅有损操作人员的健康，而且清洗废液中的废酸废碱还会造成环境污染，另外，上述方法清洗过程复杂，时间长，费用高；成本较高，性能不够稳定，配制过程繁琐，易于产生锈蚀，导致环境污染，对使用者也会造成不利影响。

因此，需要研究和开发一种适用于半导体器件清洗、达到半导体器件清洗技术要求的半导体器件专用清洗剂，成为科研人员的重要研究课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件防蚀剂清洗剂及制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种半导体器件防蚀剂清洗剂，包括以下按照重量份的原料：柠檬酸35-45份、金属防蚀剂14-21份、聚乙二醇13-20份、氢氧化铵6-13份、三聚磷酸钠4-9份、缓蚀剂14-21份、渗透剂3-8份、去离子水24-36份。

作为本发明进一步的方案：包括以下按照重量份的原料：柠檬酸38-42份、金属防蚀剂16-19份、聚乙二醇15-18份、氢氧化铵8-10份、三聚磷酸钠5-8份、缓蚀剂17-19份、渗透剂4-6份、去离子水27-33份。

作为本发明再进一步的方案：包括以下按照重量份的原料：柠檬酸40份、金属防蚀剂18份、聚乙二醇17份、氢氧化铵9份、三聚磷酸钠7份、缓蚀剂18份、渗透剂5份、去离子水30份。

作为本发明再进一步的方案：所述金属防蚀剂选用苯甲酸钠和苯并三氮唑中的一种或二种的混合。

作为本发明再进一步的方案：所述渗透剂选用烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)和三乙醇胺中的一种或二种的混合。

作为本发明再进一步的方案：所述缓蚀剂选自乌洛托品、苯丙三氮唑、三乙醇胺、硫脲中的至少一种。

基于所述半导体器件防蚀剂清洗剂的制备方法，步骤如下：

1)按照配方将柠檬酸加入到1/2的去离子水中溶解，得到A溶液；

2)按照配方将氢氧化铵、三聚磷酸钠加入到剩余1/2的去离子水中溶解、过滤，得到B溶液；

3)按照配方将金属防蚀剂、缓蚀剂和渗透剂加入到聚乙二醇中溶解，得到C溶液；

4)最后将上述步骤1)、步骤2)和步骤3)的A、B、C三种溶液混合均匀，即得半导体器件防蚀剂清洗剂。