[发明专利]形成绝缘结构的方法

权利要求书

1.一种形成绝缘结构的方法，包含有：

提供基底，具有第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，其中该第三凹槽的开口大于该第二凹槽的开口，且该第二凹槽的开口大于该第一凹槽的开口；

以原子层沉积制作工艺形成第一氧化层，且该第一氧化层顺应覆盖该第一凹槽、该第二凹槽以及该第三凹槽；以及

以原位蒸汽产生制作工艺，将第二氧化层填满该第一凹槽。

2.如权利要求1所述的形成绝缘结构的方法，其中填满该第一凹槽时，以该第二氧化层部分填充该第二凹槽以及该第三凹槽。

3.如权利要求1所述的形成绝缘结构的方法，其中当形成该第一氧化层时，该第一氧化层密封该第一凹槽的开口，且至少一空隙位于该第一凹槽中。

4.如权利要求3所述的形成绝缘结构的方法，其中该空隙以该第二氧化层填满。

5.如权利要求1所述的形成绝缘结构的方法，还包含：

形成第一氮化层于该第二氧化层上，并顺应覆盖该第二凹槽以及该第三凹槽。

6.如权利要求5所述的形成绝缘结构的方法，其中该第一氮化层以原子层沉积制作工艺形成。

7.如权利要求5所述的形成绝缘结构的方法，在形成该第一氮化层之后，还包含：

回蚀刻该第一氮化层。

8.如权利要求5所述的形成绝缘结构的方法，还包含：

以原子层沉积制作工艺形成第三氧化层，且该第三氧化层顺应覆盖该第一氮化层。

9.如权利要求8所述的形成绝缘结构的方法，在形成该第三氧化层之后，还包含：

进行旋转涂布制作工艺，以第四氧化层填满该第二凹槽以及该第三凹槽。

10.如权利要求9所述的形成绝缘结构的方法，还包含：

进行第一退火制作工艺于该第四氧化层。

11.如权利要求10所述的形成绝缘结构的方法，其中该第一退火制作工艺的制作工艺温度为900℃。

12.如权利要求8所述的形成绝缘结构的方法，还包含：

进行化学机械研磨制作工艺，研磨该第四氧化层至暴露出该第一氮化层。

13.如权利要求12所述的形成绝缘结构的方法，在进行该化学机械研磨制作工艺之后，还包含：

进行第二退火制作工艺。

14.如权利要求13所述的形成绝缘结构的方法，其中该第二退火制作工艺的制作工艺温度为1000℃。

15.如权利要求12所述的形成绝缘结构的方法，还包含：

移除部分的该第一氮化层。

16.如权利要求5所述的形成绝缘结构的方法，在形成该第一氮化层之前，还包含：

以原子层沉积制作工艺形成第五氧化层，顺应覆盖该第二氧化层。