[发明专利]形成绝缘结构的方法

说明书

本发明公开一种形成绝缘结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底，具有一第一凹槽、一第二凹槽、以及一第三凹槽，其中第三凹槽的开口大于第二凹槽的开口，且第二凹槽的开口大于第一凹槽的开口。接着，以一原子层沉积制作工艺形成一第一氧化层，且第一氧化层顺应覆盖第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽。接续，以一原位蒸汽产生制作工艺，将一第二氧化层填满第一凹槽。

技术领域

本发明涉及一种形成绝缘结构的方法，且特别是涉及一种以原位蒸汽产生制作工艺直接填满凹槽而形成绝缘结构的方法。

背景技术

由于集成电路元件尺寸的日渐缩小化与集成度的提升，使得半导体基底中各个元件之间的距离缩小，排列更为紧密，因此在各元件之间必需要有适当的绝缘或隔离，以避免接面漏电流(junction current leakage)的发生，并在确保有良好隔离效果之下，缩小绝缘或隔离的区域。在各种元件隔离技术中，局部硅氧化方法(LOCOS)和浅沟槽隔离(shallowtrench isolation)结构是最常被采用的两种技术，尤其后者具有较小的隔离区域和完成后仍保持半导体基底平坦性等优点。现有浅沟槽隔离结构设于两金属氧化物半导体晶体管之间的半导体基底中，且环绕半导体基底的主动(有源)区域，以避免载流子(carrier)，如电子或空穴，在两相邻元件间经由半导体基底飘移而造成接面漏电流的现象，可以有效隔离各元件且其制造成本低，特别适合于高集成度的半导体制作工艺。随着半导体制作工艺的发展，对于隔离结构的要求也随之提高，因而如何形成一品质良好的隔离结构，也成为半导体制作工艺中一重要议题。

发明内容

本发明提出一种形成绝缘结构的方法，其以原位蒸汽产生制作工艺形成氧化层填满凹槽，而能改善填洞及应力不平均的问题。

本发明提供一种形成绝缘结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底，具有一第一凹槽、一第二凹槽、以及一第三凹槽，其中第三凹槽的开口大于第二凹槽的开口，且第二凹槽的开口大于第一凹槽的开口。接着，以一原子层沉积制作工艺形成一第一氧化层，且第一氧化层顺应覆盖第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽。接续，以一原位蒸汽产生制作工艺，将一第二氧化层填满第一凹槽。

基于上述，本发明提出一种形成绝缘结构的方法，其先以一原子层沉积制作工艺形成一第一氧化层，顺应覆盖第一凹槽；再以一原位蒸汽产生制作工艺，将一第二氧化层填满第一凹槽。如此一来，可改善对于具有高深宽比的第一凹槽的填洞能力，并且以原位蒸汽产生制作工艺将第二氧化层填满第一凹槽可使各方向的应力更均匀而避免结构因应力而弯曲。

再者，本发明可以原位蒸汽产生制作工艺先将第二氧化层填满具有高深宽比的第一凹槽，但仅部分填满其他开口较大的第二凹槽及第三凹槽，后续再以其他制作工艺形成氮化层或/且氧化层填满此些开口较大的凹槽。

附图说明

图1为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图2为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图3为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图4为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图5为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图6为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图7为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图8为本发明一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图9为本发明另一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图10为本发明另一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；

图11为本发明另一实施例的形成绝缘结构的方法的剖面示意图；