[发明专利]游星轮与抛光方法

说明书

本申请提供了一种游星轮与抛光方法。该游星轮不具有通孔且不具有凹槽，游星轮侧面具有多个周向排列的齿轮。的游星轮不具有放置晶片或者固定基板的凹槽或者通孔，将其应用在双面抛光机中，对只需要单面抛光的晶片进行抛光时，晶片的需要抛光的表面裸露，不需要抛光的表面设置在游星轮的表面上，被游星轮保护，这样既能使得需要抛光的表面可以利用双面抛光机的一个抛光盘进行抛光，进一步保证了该表面抛光后的粗糙度以及TTV均能满足要求，同时也能保证不需要抛光的表面没有被损坏。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种游星轮与抛光方法。

背景技术

随着半导体工业飞速发展，电子器件的尺寸越来越小，对晶片表面的粗糙度、TTV(总厚度偏差)、平整度等表面精度指标的要求越来越高。

热流法、旋转玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法、选择淀积、低压CVD、等离子增强CVD以及淀积-腐蚀-淀积法等传统的平坦化技术，仅仅能够实现局部平坦化，但是当最小特征尺寸达到0.25μm以下时，必须进行整体平坦化。90年代兴起的化学机械抛光技术(CMP)则从加工性能和速度上能同时满足硅片图形加工的要求，是目前唯一可以实现整体平坦化的技术。

如图1，将待抛光物03利用硅片夹持装置04固定在抛光头06的下面，将抛光垫02粘贴在抛光盘01上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫02上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液05在待抛光物03和抛光垫02之间流动，然后抛光液05在抛光垫02的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在待抛光物03和抛光垫02之间形成一层抛光液液体薄膜。

抛光液05中的化学成分与待抛光物03的表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从待抛光物03表面去除，溶入流动的液体中带走，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的。其反应包含两个过程，分别为化学过程和物理过程。化学过程是抛光液中的化学物质与待抛光物03的表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；物理过程是抛光液05中的磨粒与待抛光物03的表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。

对于某些器件，采用多个抛光头的单面抛光机进行单面抛光得到的表面粗糙度和TTV等指标已经无法满足要求。双面抛光机的抛光加工作为晶片超光滑表面加工最有效的技术手段之一，受到了超精密加工研究领域和光电子企业的广泛关注与重视，超精密双面抛光加工过程的平稳一致性决定了被抛光的晶片具有非常高的表面质量。

但双面抛光机一直是用于晶片的双面抛光加工，对于只需要进行单面抛光的晶片来说，目前国内外尚无行之有效的抛光加工方法来提高晶片的表面粗糙度和TTV等指标。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种游星轮与抛光方法，以解决现有技术中的只需要单面抛光的晶片的表面粗糙度和TTV难以达到要求的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种游星轮，该游星轮不具有通孔且不具有凹槽，上述游星轮侧面具有多个周向排列的齿轮。

进一步地，上述游星轮包括齿轮环和设置在上述齿轮环内的内置盘，上述内置盘可随着上述齿轮环同步转动，优选上述内置盘的厚度大于上述齿轮环的厚度，优选地，上述内置盘为圆形盘或多边形盘。

进一步地，上述游星轮还包括定位键，上述齿轮环的内侧面和/或上述内置盘的外侧面具有定位槽，上述定位键位于上述定位槽内且使得上述内置盘可随着上述齿轮环同步运动。