[发明专利]发光单元及其制造方法

权利要求书

1.一种发光单元，其特征在于，包含：

发光二极管芯片，包含一出光面；以及

光学功能膜，设置在所述发光二极管芯片的所述出光面，其中所述光学功能膜在350纳米至480纳米的波长范围的光透过率大于95％。

2.如权利要求1的发光单元，其特征在于，所述光学功能膜包含蓝光透过膜。

3.如权利要求1的发光单元，其特征在于，所述光学功能膜为多层膜结构，且材质为无机化合物。

4.如权利要求3的发光单元，其特征在于，所述多层膜结构选自于由二氧化硅层、硫化锌层、二氧化锆层、五氧化二钽层、五氧化二铌层、二氧化钛层、三氧化二铝层、氧化铟锡层和氟化镁层所组成的群组。

5.如权利要求1的发光单元，其特征在于，所述发光二极管芯片为倒装型发光二极管芯片。

6.如权利要求1的发光单元，其特征在于，所述发光二极管芯片包含：

衬底，包含所述出光面和相对所述出光面的入光面；

N型氮化镓层，设置在所述衬底的所述入光面；

多量子阱层，设置在所述N型氮化镓层上；

P型氮化镓层，设置在所述多量子阱层上，且所述多量子阱层位在所述N型氮化镓层与所述P型氮化镓层之间；

负电极，设置在所述N型氮化镓层上；以及

正电极，设置在所述P型氮化镓层上。

7.如权利要求6的发光单元，其特征在于，所述发光二极管芯片还包含：

金属层，设置在所述P型氮化镓层与正电极之间；以及

隔离层，设置在所述金属层、所述负电极、所述正电极之上，用于使所述负电极与所述正电极彼此电性隔离。

8.如权利要求6的发光单元，其特征在于，所述衬底的材质包含蓝宝石。

9.如权利要求1的发光单元，其特征在于，所述光学功能膜的厚度小于25微米。

10.一种发光单元的制造方法，其特征在于，包含：

提供衬底，并且在所述衬底定义包含有出光面和入光面；

在所述衬底的所述出光面形成光学功能膜，其中所述光学功能膜在350纳米至480纳米的波长范围的光透过率大于95％；以及

在所述衬底的所述入光面依序形成N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层、负电极、和正电极以形成发光二极管芯片。

11.如权利要求10的发光单元的制造方法，其特征在于，所述光学功能膜包含蓝光透过膜。

12.如权利要求10的发光单元的制造方法，其特征在于，所述光学功能膜为多层膜结构，且材质为无机化合物。

13.如权利要求12的发光单元的制造方法，其特征在于，所述多层膜结构选自于由二氧化硅层、硫化锌层、二氧化锆层、五氧化二钽层、五氧化二铌层、二氧化钛层、三氧化二铝层、氧化铟锡层和氟化镁层所组成的群组。

14.如权利要求10的发光单元的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片为倒装型发光二极管芯片。

15.如权利要求10的发光单元的制造方法，其特征在于，所述衬底的材质包含蓝宝石。

16.如权利要求10的发光单元的制造方法，其特征在于，所述光学功能膜的厚度小于25微米。