[发明专利]发光单元及其制造方法

说明书

本揭示提供一种发光单元及其制造方法。发光单元包含：发光二极管芯片，包含一出光面；以及光学功能膜，设置在所述发光二极管芯片的所述出光面，其中所述光学功能膜在350纳米至480纳米的波长范围的光透过率大于95％。

技术领域

本揭示涉及一种发光单元，特别是涉及一种具有倒装型发光二极管芯片的发光单元及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种主动发光器件，具有体积小、质量轻、亮度高、寿命长和发光色彩多样性的优点。早在西元1955年，美国无线电公司就发现了砷化镓(GaAs)能够发射红光的现象。并且在西元1962年，成功开发出第一种可见光发光二极管。直到西元1993年日本科学家中村修二发明了基于氮化镓(GaN)和铟氮化镓(InGaN)的蓝光LED。目前LED已经取代了传统的白炽灯、钨丝灯和荧光灯，广泛应用在照明、广告牌、交通灯、车载指示灯和背光源等领域。

为了实现RGB全彩色显示，通常使用白色背光源。白光LED可以由LED(R)、LED(G)、LED(B)此三基色LED组成，其中(R)、(G)、(B)分别是红、绿、蓝三原色。或者是，参照图1，其显示一种现有的白光LED 10的结构示意图。白光LED 10包含驱动基板11、反射层12、多个并列的蓝光LED 13、和黄色荧光膜14。白光LED 10的发光原理是通过在蓝光LED 13的上方覆盖一层黄色荧光膜14，使得蓝光LED 13所发出的光线通过黄色荧光膜14混合后可以发出白色光线。白光LED 10具有结构简单、成本低、色度易调节、可靠性高、可用于异形显示等优势，因而被广泛地应用在各种背光模组中。

尽管采用白光LED 10制作背光模组的方案具有诸多优势，但是由于蓝光LED 13发出的蓝光在通过黄色荧光膜14会因红光和绿光量子点材料而激发出红光和绿光，这些红、绿光通过其他膜层间时容易发生散射和反射。并且这些红、绿光入射到蓝光LED 13时，蓝光LED 13表面的蓝宝石基板(折射率约为1.76)对光的反射率很低。具体来说，请参照图2，其显示蓝宝石基板在空气中反射率与不同入射角度的曲线图。从图2可以看到从蓝宝石基板表面反射的光只占很少的一部分，大部分的光是被白光LED 10的内部结构(例如多量子阱结构、载流子掺杂层等)以无辐射跃迁的方式吸收，如此会降低背光模组的发光效率。

有鉴于此，有必要提出一种发光单元及其制造方法，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

为解决上述现有技术的问题，本揭示的目的在于提供一种发光单元及其制造方法，通过光学设计，在LED的出光面(如蓝宝石衬底的表面)上制备一层光学功能膜，其能将红绿光反射出去，从而提高了背光模组整体的发光效率。

为达成上述目的，本揭示提供一种发光单元，包含：发光二极管芯片，包含一出光面；以及光学功能膜，设置在所述发光二极管芯片的所述出光面，其中所述光学功能膜在350纳米至480纳米的波长范围的光透过率大于95％。

本揭示其中之一优选实施例中，所述光学功能膜包含蓝光透过膜。

本揭示其中之一优选实施例中，所述光学功能膜为多层膜结构，且材质为无机化合物。

本揭示其中之一优选实施例中，所述多层膜结构选自于由二氧化硅层、硫化锌层、二氧化锆层、五氧化二钽层、五氧化二铌层、二氧化钛层、三氧化二铝层、氧化铟锡层和氟化镁层所组成的群组。

本揭示其中之一优选实施例中，所述发光二极管芯片为倒装型发光二极管芯片。

本揭示其中之一优选实施例中，所述发光二极管芯片包含：衬底，包含所述出光面和相对所述出光面的入光面；N型氮化镓层，设置在所述衬底的所述入光面；多量子阱层，设置在所述N型氮化镓层上；P型氮化镓层，设置在所述多量子阱层上，且所述多量子阱层位在所述N型氮化镓层与所述P型氮化镓层之间；负电极，设置在所述N型氮化镓层上；以及正电极，设置在所述P型氮化镓层上。