[发明专利]基板清洗方法以及基板清洗装置有效
申请号: | 201811002553.5 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN109545705B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 吉田幸史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 以及 装置 | ||
本发明涉及基板清洗方法及装置,该方法包括:处理液供给工序,向基板的上表面供给包含溶质及具有挥发性的溶媒的处理液;成膜工序,从供给处理液使溶媒至少一部分挥发,使处理液固化或硬化,在上表面形成颗粒保持层;除去工序,向上表面供给剥离液,剥离并除去颗粒保持层。颗粒保持层所含的溶质成分的性质为,在加热至变质温度以上前相对于剥离液具有不溶性,加热至变质温度以上会发生变质,相对于剥离液具有可溶性。成膜工序包括加热工序,将处理液加热至小于变质温度的温度,形成颗粒保持层。还包括残渣除去工序,向除去工序后的上表面供给残渣除去液,除去在上表面残留的残渣,残渣除去液相对于加热至变质温度以上之前的溶质成分具有溶解性。
技术领域
本发明涉及一种基板清洗方法以及基板清洗装置。作为处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence,电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display,平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板。
背景技术
在半导体装置的制造工序中,为了除去附着于基板的各种污染物、在之前工序使用的处理液或抗蚀剂等的残渣、或者各种颗粒等(以下,有时总称为“颗粒”),而实施清洗工序。
在清洗工序中,通常通过将脱离子水(DIW)等清洗液供给至基板,来利用物理方法除去颗粒,或者通过将与颗粒进行化学反应的药液供给至基板,来利用化学方法除去该颗粒。
但是,形成在基板上的图案趋于微细化以及复杂化。因此,利用物理或者化学方法除去颗粒变得不容易。
因此,提出了如下方法,即,向基板的上表面供给处理液,来形成使该处理液固化或者硬化而得到的膜(以下,称为“颗粒保持层”),然后溶解并除去该颗粒保持层,其中,所述处理液具有溶质以及具有挥发性的溶媒(日本特开2014-197717号公报以及美国专利申请公开第2015/128994号说明书)。
在该方法中,在使处理液固化或者硬化来形成颗粒保持层时,颗粒与基板分离。并且,分离的颗粒保持于颗粒保持层中。
接着,向基板的上表面供给溶解处理液。由此,颗粒保持层在基板上溶解而被除去,因此从基板的上表面一同除去颗粒与颗粒保持层(参照日本特开2014-197717号公报)。
或者,有时也向基板的上表面供给剥离处理液。由此,从基板的上表面剥离颗粒保持层。接着,通过供给溶解处理液,使颗粒保持层在基板上溶解(参照美国专利申请公开第2015/128994号说明书)。
但是,在日本特开2014-197717号公报以及美国专利申请公开第2015/128994号说明书的方法中,均在基板上溶解颗粒保持层,因此存在如下担忧,即,颗粒从正在溶解的颗粒保持层脱落,来再附着于基板。因此,颗粒除去率不会像期待那样高。
因此,本申请的发明者研究了,在不使剥离的颗粒保持层溶解的情况下,从基板的上表面除去剥离的颗粒保持层。具体地说,在从基板的上表面剥离颗粒保持层之后,例如向该基板的上表面供给冲洗液,从而清洗该基板的上表面。
但是,此时,可知:有时因颗粒保持层而产生的微小的残渣并不从基板的上表面剥离而残留于该基板的上表面,或者剥离的残渣再附着于基板的上表面。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种基板清洗方法以及基板清洗装置,能够以高的除去率从基板的上表面除去颗粒,而且能够抑制颗粒保持层的残渣残留或者再附着于基板的上表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811002553.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造