[发明专利]一种含螺芴的噁二唑取代的有机半导体材料、制备方法及OLED器件

权利要求书

1.一种含螺芴的噁二唑取代的有机半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料的结构如式I所示：

其中，L为芳香环、芳香杂环、取代的芳香环或取代的芳香杂环中的任意一种，n的值为0～3的整数；

R独立地选自氢、氘、取代的C₆～C₆₀芳香环、C₆～C₆₀芳香环、取代的C₅～C₆₀芳香杂环、C₅～C₆₀芳香杂环、C₁～C₅₀的烷基或取代的C₁～C₅₀的烷基中的任意一种或至少两种的组合。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料为如下结构中的任意一种：

3.根据权利要求1或2所述的有机半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料的结构为

4.根据权利要求1-3中任一项所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：将2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺二芴与式II化合物经过铃木反应得到如式I所示的有机半导体材料，反应式如下：

其中，R和L均与权利要求1所述的R和L具有相同的范围，n的值为0～3的整数。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述铃木反应在催化剂和缚酸剂存在的条件下进行；

优选地，所述催化剂为四(三苯基膦)钯；

优选地，所述催化剂与2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺二芴摩尔比为(0.002～0.5):1；

优选地，所述缚酸剂为磷酸钾、碳酸钾、碳酸铯、碳酸钠或碳酸氢钠中的任意一种或至少两种的组合。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺二芴与式II所示化合物的摩尔比为1:(4.2～15)。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述铃木反应在保护性气体保护下进行；

优选地，所述保护性气体为氮气、氩气或氦气中的任意一种；

优选地，所述铃木反应在避光的条件下进行。

8.根据权利要求4-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述铃木反应的溶剂包括四氢呋喃、1,4-二氧六环、乙二醇二甲醚或甲苯中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述铃木反应的温度为80～130℃；

优选地，所述铃木反应的时间为20～30h。

9.根据权利要求4-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

将摩尔比为1:(4.2～15)的2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺二芴与式II化合物，在催化剂、缚酸剂存在下，保护性气体保护下，在80～130℃、避光条件下进行铃木反应20～30h得到如式I所示的有机半导体材料。

10.一种OLED器件，由上至下依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述电子传输层由权利要求1-3所述的含螺芴的噁二唑取代的有机半导体材料制备而成。