[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201811004525.7 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN110310687B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 池田圭司;田中千加 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074;G11C11/4091 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
第1存储单元,包括第1晶体管及第1电容器;
第2晶体管,包含与所述第1存储单元的第1端子连接的第1端子;
第1位线,与所述第1存储单元的第2端子连接;
第2位线,与所述第2晶体管的第2端子连接;以及
控制器,在所述第1存储单元的写入动作中,使所述第1晶体管接通,且使所述第2晶体管断开,在所述第1存储单元的读取动作中,使所述第1晶体管及所述第2晶体管接通;
第2存储单元,所述第2存储单元包括第3晶体管及第2电容器,且包含与所述第1存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第2位线连接的第2端子;
第4晶体管,所述第4晶体管包含与所述第2存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第1位线连接的第2端子;且
所述控制器在所述第2存储单元的写入动作中,使所述第3晶体管接通,且使所述第4晶体管断开,在所述第2存储单元的读取动作中,使所述第3晶体管及所述第4晶体管接通。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其还具备第1源极线,所述第1源极线与所述第1存储单元的所述第1端子及所述第2存储单元的所述第1端子连接。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其还具备第1电源,所述第1电源对所述第1源极线供给任意电压。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其还具备第3存储单元,所述第3存储单元包括第5晶体管及第3电容器,且包含与所述第1存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第2位线连接的第2端子。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其
还具备第6晶体管,所述第6晶体管包含与所述第3存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第1位线连接的第2端子;
所述第2存储单元到所述第4晶体管的距离长于所述第2存储单元到所述第6晶体管的距离;
所述第3存储单元到所述第4晶体管的距离短于所述第3存储单元到所述第6晶体管的距离;且
所述控制器在所述第3存储单元的写入动作中,使所述第5晶体管接通,且使所述第6晶体管断开,在所述第3存储单元的读取动作中,使所述第5晶体管及所述第6晶体管接通。
6.一种半导体存储装置,具备:
第1存储单元,包括第1晶体管及第1电容器;
第2晶体管,包含与所述第1存储单元的第1端子连接的第1端子;
第1位线,与所述第1存储单元的第2端子连接;
第2位线,与所述第2晶体管的第2端子连接;以及
控制器,在所述第1存储单元的写入动作中,使所述第1晶体管接通,且使所述第2晶体管断开,在所述第1存储单元的读取动作中,使所述第1晶体管及所述第2晶体管接通;
第2存储单元,所述第2存储单元包括第3晶体管及第2电容器,且包含与所述第1存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第1位线连接的第2端子;
第4晶体管,所述第4晶体管包含与所述第2存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第2位线连接的第2端子;其中
所述第1存储单元到所述第2晶体管的距离长于所述第1存储单元到所述第4晶体管的距离;
所述第2存储单元到所述第2晶体管的距离短于所述第2存储单元到所述第4晶体管的距离;且
所述控制器在所述第2存储单元的写入动作中,使所述第3晶体管接通,且使所述第4晶体管断开,在所述第2存储单元的读取动作中,使所述第3晶体管及所述第4晶体管接通。
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