[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201811004525.7 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN110310687B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 池田圭司;田中千加 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074;G11C11/4091
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,具备:

第1存储单元,包括第1晶体管及第1电容器;

第2晶体管,包含与所述第1存储单元的第1端子连接的第1端子;

第1位线,与所述第1存储单元的第2端子连接;

第2位线,与所述第2晶体管的第2端子连接;以及

控制器,在所述第1存储单元的写入动作中,使所述第1晶体管接通,且使所述第2晶体管断开,在所述第1存储单元的读取动作中,使所述第1晶体管及所述第2晶体管接通;

第2存储单元,所述第2存储单元包括第3晶体管及第2电容器,且包含与所述第1存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第2位线连接的第2端子;

第4晶体管,所述第4晶体管包含与所述第2存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第1位线连接的第2端子;且

所述控制器在所述第2存储单元的写入动作中,使所述第3晶体管接通,且使所述第4晶体管断开,在所述第2存储单元的读取动作中,使所述第3晶体管及所述第4晶体管接通。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其还具备第1源极线,所述第1源极线与所述第1存储单元的所述第1端子及所述第2存储单元的所述第1端子连接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其还具备第1电源,所述第1电源对所述第1源极线供给任意电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其还具备第3存储单元,所述第3存储单元包括第5晶体管及第3电容器,且包含与所述第1存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第2位线连接的第2端子。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其

还具备第6晶体管,所述第6晶体管包含与所述第3存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第1位线连接的第2端子;

所述第2存储单元到所述第4晶体管的距离长于所述第2存储单元到所述第6晶体管的距离;

所述第3存储单元到所述第4晶体管的距离短于所述第3存储单元到所述第6晶体管的距离;且

所述控制器在所述第3存储单元的写入动作中,使所述第5晶体管接通,且使所述第6晶体管断开,在所述第3存储单元的读取动作中,使所述第5晶体管及所述第6晶体管接通。

6.一种半导体存储装置,具备:

第1存储单元,包括第1晶体管及第1电容器;

第2晶体管,包含与所述第1存储单元的第1端子连接的第1端子;

第1位线,与所述第1存储单元的第2端子连接;

第2位线,与所述第2晶体管的第2端子连接;以及

控制器,在所述第1存储单元的写入动作中,使所述第1晶体管接通,且使所述第2晶体管断开,在所述第1存储单元的读取动作中,使所述第1晶体管及所述第2晶体管接通;

第2存储单元,所述第2存储单元包括第3晶体管及第2电容器,且包含与所述第1存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第1位线连接的第2端子;

第4晶体管,所述第4晶体管包含与所述第2存储单元的所述第1端子连接的第1端子及与所述第2位线连接的第2端子;其中

所述第1存储单元到所述第2晶体管的距离长于所述第1存储单元到所述第4晶体管的距离;

所述第2存储单元到所述第2晶体管的距离短于所述第2存储单元到所述第4晶体管的距离;且

所述控制器在所述第2存储单元的写入动作中,使所述第3晶体管接通,且使所述第4晶体管断开,在所述第2存储单元的读取动作中,使所述第3晶体管及所述第4晶体管接通。

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