[发明专利]一种集成电路封装结构的制造方法

说明书

本发明提供了一种集成电路封装结构的制造方法，其包括以下步骤：（1）提供一带有凹槽的金属基板，将电磁芯片固定于凹槽底部，所述凹槽的深度和宽度分别大于所述电磁芯片的高度和宽度；（2）形成环绕电磁芯片的环形屏蔽层；（3）用封装胶填充满所述凹槽，完全覆盖电磁芯片和环形屏蔽层，固化后形成封装层；（4）在对应电磁芯片的电极位置开槽形成通孔，所述通孔的孔径小于屏蔽凹槽的宽度；在所述通孔中填充导电物质形成连接电磁芯片的导电通孔，所述导电通孔的材质为非金属；（5）形成在金属基板上的线路层和连接导电通孔的焊盘，并利用线路层和焊盘耦合其他集成芯片。本发明减小电磁干扰，减小了封装体积，增强了封装的灵活性。

技术领域

本发明涉及集成电路封装领域，具体涉及一种集成电路封装结构的制造方法。

背景技术

在集成电路封装中，由于本身电子器件的电磁辐射或外界的电磁辐射，往往会导致集成电路的信号不稳定，电路失效，现有技术中，是将容易受电磁干扰或发出电磁波的半导体元件封装在特定的集成电路中，在将该封装体予以电子屏蔽，其屏蔽的构件往往是一个金属罩体，这样的封装体体积较大且封装极为不灵便。

发明内容

基于解决上述封装中的问题，本发明提供了一种集成电路封装结构的制造方法，其包括以下步骤：

（1）提供一带有凹槽的金属基板，将电磁芯片固定于凹槽底部，所述凹槽的深度和宽度分别大于所述电磁芯片的高度和宽度；

（2）形成环绕所述电磁芯片的环形屏蔽层；

（3）用封装胶填充满所述凹槽，完全覆盖电磁芯片和环形屏蔽层，固化后形成封装层；

（4）在对应电磁芯片的电极位置开槽形成通孔，所述通孔的孔径小于屏蔽凹槽的宽度；在所述通孔中填充导电物质形成连接电磁芯片的导电通孔，所述导电通孔的材质为非金属；

（5）形成在金属基板上的线路层和连接导电通孔的焊盘，并利用线路层和焊盘耦合其他集成芯片。

其中，形成环形屏蔽层的具体步骤为：在凹槽内沉积光刻胶，其中所述光刻胶的高度低于凹槽的深度并完全覆盖电磁芯片；利用干法光刻技术光刻光刻胶，在围绕电磁芯片的周圈形成环形的屏蔽凹槽，屏蔽凹槽的底部暴露固定胶；利用电磁屏蔽材料填充所述屏蔽凹槽形成环形屏蔽层，去除光刻胶。

其中，所述电磁屏蔽材料为金属。

本发明还提供了一种集成电路封装结构，其包括带有凹槽的金属基板、固定胶、电磁芯片、环形屏蔽层、封装层、导电通孔、线路层、焊盘和其他多个集成芯片，所述电磁芯片通过固定胶固定于凹槽的底部，所述凹槽的深度和宽度分别大于待封装电磁芯片的高度和宽度，环形屏蔽层环绕所述电磁芯片并位于凹槽底部，封装层密封所述电磁芯片和环形屏蔽层，电磁芯片并通过导电通孔电连接至焊盘，其他多个集成芯片电连接至线路层和焊盘，所述线路层和焊盘均位于基板和封装层的上表面。

其中，所述固定胶包括压敏固化胶、热固化胶、光固化胶、硅脂或环氧树脂。

其中，所述环形屏蔽层的宽度大于或等于1mm。

其中，所述其他多个集成芯片包括控制器、MOS晶体管或电阻。

本发明的优点如下：

（1）利用环形屏蔽层和金属基板的双层屏蔽，减小电磁干扰；

（2）利用基板的凹槽进行电磁导向；

（3）形成电子屏蔽较好的封装体，在后续集成电路封装中无需再增加电磁屏蔽罩等构件，减小了封装体积，增强了封装的灵活性。

附图说明

图1-10为本发明的集成电路封装结构的制造方法的过程示意图。

具体实施方式