[发明专利]图像传感器及其形成方法、成像设备在审
| 申请号： | 201811006617.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109148501A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 何延强;林宗德;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 宿小猛 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 感光元件 微透镜 衬底 成像设备 光敏感度 增透膜 传输 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
衬底，衬底中形成有至少一个感光元件；以及
至少一个微透镜，在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成；
其中，在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成有增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，形成在微透镜上的增透膜的厚度基于通过该微透镜传输到对应的感光元件中的特定颜色的光的波长被确定。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，形成在微透镜上的增透膜的厚度与经通过该微透镜传输到对应的感光元件中的特定颜色的光的波长的1/4成正比。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，形成在微透镜上的增透膜的材料选自包含MgF、CaF、FeF的组。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在微透镜上形成增透膜是通过涂覆处理而进行的，操作温度小于或等于240℃。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在N个微透镜上形成增透膜是通过N次的涂覆处理而进行的，其中N为大于等于2的整数；并且
其中，最后一次涂覆的厚度等于预期厚度最小的增透膜的厚度，而之前每次涂覆的厚度等于依次涂覆的增透膜的预期厚度之差。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在微透镜与形成在微透镜上的增透膜之间可以进一步包含抗反射涂层。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述至少一个感光元件中的每一个和对应的微透镜之间进一步形成滤色层，以用于特定颜色的光入射到感光元件中。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述衬底上在所述至少一个感光元件上进一步形成抗反射涂层。
10.一种用于形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底中形成有至少一个感光元件；
在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成至少一个微透镜；以及
在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成有增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
