[发明专利]图像传感器及其形成方法、成像设备在审
申请号: | 201811006617.9 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109148501A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 何延强;林宗德;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宿小猛 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 感光元件 微透镜 衬底 成像设备 光敏感度 增透膜 传输 | ||
本公开涉及图像传感器及其形成方法、成像设备。其中,一种图像传感器包括衬底,衬底中形成有至少一个感光元件;以及至少一个微透镜,在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成;其中,在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成有增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。本公开涉及的图像传感器及用于形成图像传感器的方法,使得更多的光进入衬底中的感光元件的区域,从而改善图像传感器的光敏感度。
技术领域
本公开涉及半导体领域,具体来说,涉及一种图像传感器及其形成方法以及包含该图像传感器的成像设备。
背景技术
图像传感器是一种用于将聚焦在图像传感器上的光学图像转换成电信号的电子设备。图像传感器可以用于诸如数码相机之类的成像设备,使得成像设备接收到的光被转换为数字图像。目前常见的图像传感器包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)传感器,它们被广泛用于各种成像应用中,诸如数码相机或手机摄像头应用。
无论是CCD还是CMOS,图像传感器都采用感光元件作为影像捕获的基本手段,感光元件的核心可以是光二极管(photodiode),该感光元件在接受光线照射之后能够吸收入射到所述感光元件的光来产生载流子,从而产生电信号。然后,通过处理器对于从光线所得到的信号进行还原,从而可以得到彩色图像。
目前,存在对于新的技术的需求以改善图像传感器的光敏感度。
发明内容
本公开的一个目的是改善图像传感器的光敏感度。
根据本公开的一个方面,提供了一种图像传感器,包括:衬底,衬底中形成有至少一个感光元件;以及至少一个微透镜,在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成;其中,在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成有增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。
根据本公开的另一方面,提供了一种用于形成图像传感器的方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底中形成有至少一个感光元件;在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成至少一个微透镜;以及在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。
根据本公开的还另一方面,提供了一种成像设备,包括根据本公开中所述的图像传感器。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
图1是以截面图的形式示意性地示出图像传感器的结构的示意图。
图2是示意性地示出图1中的图像传感器中部分光的传输路径的示意图。
图3a至3e是分别示出了在根据本公开一个示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的各个步骤处的图像传感器的截面的示意图。
图4是示意性地示出根据本公开的实施例的图像传感器的示意图。
注意,在以下说明的实施方式中,有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分,而省略其重复说明。在本说明书中,使用相似的标号和字母表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了便于理解,在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此,所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的