[发明专利]有机半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201811007229.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109166968B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种有机半导体器件的制备方法，其特征在于，包括:
提供衬底；
在所述衬底上形成整面的牺牲层；
在所述整面的牺牲层上形成图案化的有机半导体层；
在所述图案化的有机半导体层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成栅电极；
从所述图案化的有机半导体层上分离所述整面的牺牲层及所述衬底，通过所述整面的牺牲层剥离掉所述衬底，使得所述有机半导体层露出；以及
在所述图案化的有机半导体层上形成源漏电极。
2.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括在所述牺牲层上进行图案化的表面处理。
3.如权利要求2所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括使用含氟气体蚀刻所述牺牲层。
4.如权利要求2所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括使用十八烷基三氯硅烷对所述牺牲层进行图案化的表面处理。
5.如权利要求2所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括在所述牺牲层上形成图案化的疏液区。
6.如权利要求5所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案相同。
7.如权利要求5所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案互补。
8.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括在所述栅电极上形成有机衬底。
9.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为有机绝缘层。
10.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述源漏电极为图案化的纳米银线或图案化的碳纳米管。
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