[发明专利]有机半导体器件的制备方法

说明书

本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极。本揭示能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。

【技术领域】

本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种有机半导体器件的制备方法。

【背景技术】

在现有技术中，有机半导体器件的制备方法使用有机物及铜掩模版作为保护层，以保护有机半导体层。现有技术的制备方案为了有效地保护有机半导体层，增加了额外的有机物涂布与铜掩模版的热蒸镀工艺，较为复杂。

故，有需要提供一种有机半导体器件的制备方法，以解决现有技术存在的问题。

【发明内容】

为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。

为达成上述目的，本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在所述衬底上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在所述图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成栅电极，从所述图案化的有机半导体层上分离所述牺牲层及所述衬底，以及在所述图案化的有机半导体层上形成源漏电极。

于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述牺牲层上进行图案化的表面处理。

于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括使用含氟气体蚀刻所述牺牲层。

于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括使用十八烷基三氯硅烷(octadecyltrichlorosilane,OTS)对所述牺牲层进行图案化的表面处理。

于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述牺牲层上形成图案化的疏液区。

于本揭示其中的一实施例中，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案相同。

于本揭示其中的一实施例中，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案互补。

于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述栅电极上形成有机衬底。

于本揭示其中的一实施例中，所述绝缘层为有机绝缘层。

于本揭示其中的一实施例中，所述源漏电极为图案化的纳米银线或图案化的碳纳米管。

由于本揭示的实施例中的有机半导体器件的制备方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极，因此能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。

为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

【附图说明】

图1显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的流程图；

图2显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；

图3显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；

图4显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；

图5显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；以及

图6显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图。