[发明专利]一种金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法在审
申请号: | 201811008100.3 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109126785A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 廖宇龙;陈佳惠;李元勋;廖斌;张恒军;张怀武 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;赣州市德普特科技有限公司 |
主分类号: | B01J23/52 | 分类号: | B01J23/52;B01J37/16;C25D11/26;C02F1/30;C02F101/30 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结 薄膜 金纳米颗粒 二氧化钛纳米管阵列 复合 制备 装载 大规模工业化生产 半导体纳米材料 物理化学 阳极氧化法制 制备技术领域 复合半导体 光催化活性 太阳能电池 有机结合 阵列薄膜 光催化 全光谱 浸没 传感器 粒径 应用 | ||
1.一种金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、采用阳极氧化法制备锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜;
步骤2、含有金纳米颗粒的甲苯溶液的配制;
步骤3、将步骤1得到的TiO2纳米管阵列薄膜浸没于步骤2配制的含有金纳米颗粒的甲苯溶液中,3~5s后,取出,烘干,重复“浸没、取出、烘干”过程1~7次,以增加装载于二氧化钛纳米管阵列中的Au NPs数量;
步骤4、将步骤3得到的负载有金纳米颗粒的TiO2纳米管阵列薄膜样品置于烘箱中,在180~200℃下干燥120~240min,自然冷却至室温,取出,即可得到所述金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜。
2.根据权利要求1所述的金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2所述含有金纳米颗粒的甲苯溶液的配制的具体过程为:
1)将HAuCl4和双十二烷基二甲基溴化铵加入甲苯中,超声,得混合液A;其中,混合液A中HAuCl4的质量浓度为2.17~3.25mg/mL,双十二烷基二甲基溴化铵的质量浓度为6.67~10.0mg/mL;
2)配制质量浓度为0.35~0.5mg/mL的NaBH4水溶液,然后将配制的NaBH4水溶液加入步骤1)得到的混合液A中,搅拌混合均匀,得到混合液B;其中,NaBH4水溶液与混合液A的体积比为1:20000;
3)在步骤2)得到的混合液B中加入十二硫醇,搅拌混合均匀后,采用乙醇洗涤,离心分离,干燥;其中,所述十二硫醇与混合液B的体积比为1:(12.5~15),乙醇与混合液B的体积比为1:(1.1~2);
4)将步骤3)干燥后的样品加入体积比为1:(12.5~15)的十二硫醇与乙醇的混合溶剂中,搅拌混合均匀后,采用乙醇洗涤,离心分离,干燥,重复“乙醇洗涤、离心分离、干燥”过程2~3次,得到的产物分散于甲苯和十二硫醇的混合溶剂中,得到混合液C;其中,所述甲苯和十二硫醇的体积比为1:(15~17),混合液C中溶质的质量浓度为0.5~1mg/mL;
5)将步骤4)得到的混合液C以7000~8000rpm的转速离心3~5min,以沉淀大的团聚物,得到的上层清液即为含有金纳米颗粒的甲苯溶液。
3.根据权利要求1所述的金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1所述采用阳极氧化法制备锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜的具体过程为:
1.1将氟化物加入醇类溶剂和去离子水形成的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到氟化物的质量百分比为0.2wt%~0.6wt%的含氟电解液;
1.2将金属钛片依次在无水乙醇和去离子水中超声清洗,烘干待用;
1.3将步骤1.2清洗干净的金属钛片平行放置,作为阳极和阴极,步骤1.1配制的含氟电解液作为电解液,采用阳极氧化法在阳极的金属钛片上制备TiO2纳米管阵列薄膜,其中,阳极氧化电压为50~70V,阳极氧化的时间为1~3h;
1.4将步骤1.3得到的TiO2纳米管阵列取出,在无水乙醇中浸泡12~18h后,在60~80℃温度下烘干;然后放入管式炉内,在400~500℃温度下退火3~5h,得到锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;赣州市德普特科技有限公司,未经电子科技大学;赣州市德普特科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811008100.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。