[发明专利]一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路有效
| 申请号： | 201811008575.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109360595B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 曹力;吕阳;郑良广;张坡;周峰;侯晓伟;李菊萍 | 申请（专利权）人： | 宁波中车时代传感技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 宁波天一专利代理有限公司 33207 | 代理人： | 徐良江 |
| 地址： | 315021 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 技术 芯片 参数 多次 编程 电路 | ||
1.一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，其特征在于：包括：
烧断指令器，发出烧断指定熔丝的指令；
四根熔丝，接入编程电路中；
四个MOS管，每个MOS管的栅极与烧断指令器连接，接收烧断指令；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间连接第一熔丝，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间连接第二熔丝，第一MOS管的漏极接第二电阻、第二MOS管的漏极接第一电阻，第一MOS管的源极接第三电阻、第二MOS管的源极接第四电阻合并接入比较器的正极；第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间连接第三熔丝，第三MOS管的源极与第四MOS管的源极之间连接第四熔丝，第三MOS管的漏极接第六电阻、第四MOS管的漏极接第五电阻，第三MOS管的源极接第七电阻、第二MOS管的源极接第八电阻合并接入比较器的负极；
其中，第一电阻至第八阻值的设置为：熔丝未熔断时，比较器正相输入电压值高于比较器反相输入电压值，比较器输出高电平；第一熔丝熔断后，比较器正相输入电压值低于比较器反相输入电压值，比较器输出低电平；第二熔丝熔断后，比较器正相输入电压值高于比较器反相输入电压值，比较器输出高电平；第三熔丝熔断后，比较器正相输入电压值低于比较器反相输入电压值，比较器输出低电平；第四熔丝熔断后，比较器正相输入电压值高于比较器反相输入电压值，比较器输出高电平。
2.根据权利要求1所述的基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，其特征在于：所述烧断指令器为外部编程器下发的烧录位数据。
3.根据权利要求1或2所述的基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，其特征在于：所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻的阻值比为：1：2：2：2：1：1：1.4：1.4。
4.根据权利要求3所述的基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，其特征在于：所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻的阻值分别为10K，20K，20K，20K，10K，10K，14K，14K。
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