[发明专利]一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路

说明书

一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，包括：烧断指令器；四根熔丝；四个MOS管，每个MOS管的栅极与烧断指令器连接，接收烧断指令；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间连接第一熔丝，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间连接第二熔丝，第一MOS管的漏极接第二电阻、第二MOS管的漏极接第一电阻，第一MOS管的源极接第三电阻、第二MOS管的源极接第四电阻合并接入比较器的正极；第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间连接第三熔丝，第三MOS管的源极与第四MOS管的源极之间连接第四熔丝，第三MOS管的漏极接第六电阻、第四MOS管的漏极接第五电阻，第三MOS管的源极接第七电阻、第二MOS管的源极接第八电阻合并接入比较器的负极。

技术领域

本发明涉及一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路。

背景技术

在芯片制造过程中，受工艺偏差、电路失配以及芯片生产批次不同等因素的影响，生产芯片的参数与设计仿真模拟值有很大偏差。这给对参数要求较高的模拟电路设计带来了很大的困难。因此，设计者在设计电路时，会在芯片中加入修调电路。芯片经工艺线制造后，首先需要对芯片进行测试，对不符合电路要求的参数利用修调电路进行一次永久性编程，完成对电路的参数调整，使电路参数更接近预设值，从而符合设计要求。此外传感器类元器件需要针对不同量程设计增益调节，因此也需要一种编程调节的方法来弥补半导体制造过程中引入的差异，同时实现传感器芯片不同量程的调节需要。

1）由于工艺差异，芯片制造过程中离子注入浓度差异，会产生阻容值偏差，从而导致模拟性能参数差异。而批量生产中又要实现产品间一致性问题，因此需要对不同的参数的芯片做统一修正。

2）不同规格产品有不同性能指标，如传感器芯片的量程。这就要求芯片具备不同量程的配置切换功能。

以上两种问题都需要一种能用存储数据的编程电路来实现芯片的配置，现常用以下二种方法。

1）现激光熔断，激光熔断腐刻法已经实现了线路板阻容校准，激光束对阻容表面实行熔断切割，切割形成的宽度比例就对应了阻容变化比例，目前电路型产品校准上已得到广泛应用。

2）闪存法，闪存技术广泛应用于半导体储存器生产，闪存技术具体说是从所有浮动栅中导出电子，即将所有数据归“1”，写入时只对数据“0”执行操作，写入“0”时栅极和漏电极施加高压，增加源极和漏极之间传递的电子能量，这样以来，电子就会突破氧化膜绝缘层进入浮动栅。读取时栅极施加电压，电流大为“1”，电流小为“0”，由此实现数据的存储和读取。

若用激光熔断法，在芯片加工中，封装产生的应力会对校正后的参数产生影响，所以当需要校正的参数精度要求比较高时，就需要在封装之后熔断，这不便于实现。且对于半导体制备工艺，激光束精度较低，需要宽的面积切割降低激光束精度带来的影响，这样会增大芯片的面积，增加成本。

若芯片设计中引入闪存法，需要添加引入高压的电路，由此会增加芯片设计复杂度，使得芯片制造成本会增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的上述不足而提供一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，实现芯片电路参数多次修正及配置切换。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：

一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，其特征在于：包括：

烧断指令器，发出烧断指定熔丝的指令；

四根熔丝，接入编程电路中；