[发明专利]进行光刻工艺的方法在审
| 申请号： | 201811010598.7 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109471329A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 葛宗翰;郑雅如;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 后处理 曝光区域 涂布材料 孔洞 未曝光区域 光刻工艺 凹口 移除 抗蚀剂层 曝光工艺 显影工艺 曝光光 图案化 烘烤 基板 填充 残留 | ||
【权利要求书】：
1.一种进行光刻工艺的方法，包括：
形成一光致抗蚀剂层于一基板之上；
通过进行一曝光工艺曝光该光致抗蚀剂层的一部分，以形成一曝光区域及一未曝光区域；
在该光致抗蚀剂层上进行一烘烤工艺，形成多个孔洞于该光致抗蚀剂层的该曝光区域中；
通过进行一第一显影工艺移除该光致抗蚀剂层的该未曝光区域，以形成一凹口于该光致抗蚀剂层中；
使用一后处理涂布材料填充该凹口及所述多个孔洞，其中该后处理涂布材料位于该光致抗蚀剂层的该曝光区域之上；以及
通过进行一第二显影工艺移除该后处理涂布材料的一部分，其中该后处理涂布材料的其他部分残留于该光致抗蚀剂层的该曝光区域的表面上，以形成一经过图案化的光致抗蚀剂层。
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