[发明专利]进行光刻工艺的方法

说明书

一种进行光刻工艺的方法被提供。此方法包括形成光致抗蚀剂层于基板之上，并且通过进行曝光工艺曝光光致抗蚀剂层的一部分，以形成曝光区域及未曝光区域。此方法包括在光致抗蚀剂层上进行一烘烤工艺，而形成多个孔洞于光致抗蚀剂层的曝光区域中。此方法亦包括移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成凹口于光致抗蚀剂层中，并且填充后处理涂布材料于凹口及孔洞中。此方法还包括通过进行第二显影工艺移除后处理涂布材料的一部分，且后处理涂布材料的其他部分残留于光致抗蚀剂层的曝光区域的表面上，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。

技术领域

本公开实施例系有关于一种光刻工艺，且特别有关于一种进行光刻工艺的方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，例如，个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层，使用光刻工艺图案化上述各材料层，借以在此半导体基板上形成电路组件及元件。通常在单一半导体晶片上制造许多集成电路，并且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个管芯单一化。上述各个管芯通常分别地封装于，例如，多芯片模块中或其他类型的封装中。

光刻工艺(photolithography process)广泛用于集成电路制造，并且各种集成电路图案被转移到工件(workpiece)，以形成集成电路装置。由于部件尺寸持续减小，制造过程持续变得更加难以进行。因此，尽管现有的光刻工艺已普遍足以达成预期的目标，然而却无法完全满足所有需求。

发明内容

本公开的一实施例提供一种进行光刻工艺的方法，包括：形成光致抗蚀剂层于基板之上；通过进行曝光工艺曝光上述光致抗蚀剂层的一部分，以形成曝光区域及未曝光区域；在上述光致抗蚀剂层上进行烘烤工艺，而形成多个孔洞于上述光致抗蚀剂层的上述曝光区域中；通过进行第一显影工艺移除上述光致抗蚀剂层的上述未曝光区域，以形成凹口于上述光致抗蚀剂层中；使用后处理涂布材料填充上述凹口及上述孔洞，其中上述后处理涂布材料位于上述光致抗蚀剂层的上述曝光区域之上；以及通过进行第二显影工艺移除上述后处理涂布材料的一部分，其中上述后处理涂布材料的其他部分残留于上述光致抗蚀剂层的上述曝光区域的多个表面上，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。

本公开的另一实施例提供一种进行光刻工艺的方法，包括：形成光致抗蚀剂层于基板之上；曝光上述光致抗蚀剂层的一部分，以形成第一曝光区域、第二曝光区域及位于上述第一曝光区域及上述第二曝光区域之间的未曝光区域；在上述光致抗蚀剂层上进行烘烤工艺，而形成多个孔洞于上述第一曝光区域及上述第二曝光区域中；形成后处理涂布材料于上述第一曝光区域、上述第二曝光区域及上述未曝光区域之上，且位于上述孔洞中；通过第一显影剂移除上述后处理涂布材料的一部分，其中上述后处理涂布材料的其他部分残留于上述第一曝光区域的顶表面、上述第二曝光区域的顶表面及上述未曝光区域的顶表面上；以及使用第二显影剂移除上述未曝光区域，其中上述后处理涂布材料的上述其他部分残留在上述第一曝光区域的上述顶表面及上述第二曝光区域的上述顶表面上。

本公开的又一实施例提供一种进行光刻工艺的方法，包括：形成光致抗蚀剂层于基板之上，其中上述光致抗蚀剂层包括聚合物及连接到上述聚合物的酸不稳定基；曝光上述光致抗蚀剂层的一部分，以形成曝光区域及未曝光区域；在上述光致抗蚀剂层上进行烘烤工艺，使上述酸不稳定基从上述聚合物上被分开，而形成多个孔洞于上述曝光区域中；形成第一后处理涂布材料于上述曝光区域及上述未曝光区域之上且位于上述孔洞中；移除上述第一后处理涂布材料的一部分，其中上述第一后处理涂布材料的其他部分残留于上述曝光区域的顶表面及上述未曝光区域的顶表面上；以及移除上述未曝光区域，其中上述第一后处理涂布材料的上述其他部分残留于上述曝光区域的上述顶表面上。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。