[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201811011163.4 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109427705B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 板东晃司;西山知宏 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括:
第一密封体,所述第一密封体密封第一半导体芯片、具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的第一金属板、以及具有第三表面和与所述第三表面相反的第四表面的第二金属板,使得所述第二表面和所述第四表面从所述第一密封体暴露,所述第一半导体芯片具有第一功率晶体管、所述第一功率晶体管的第一电极、所述第一功率晶体管的第二电极、以及所述第一功率晶体管的第一控制电极,所述第一表面面对并且电耦合到所述第一半导体芯片的所述第一电极,所述第三表面面对并且电耦合到所述第一半导体芯片的所述第二电极;
第二密封体,所述第二密封体密封第二半导体芯片、具有第五表面和与所述第五表面相反的第六表面的第三金属板、以及具有第七表面和与所述第七表面相反的第八表面的第四金属板,使得所述第六表面和所述第八表面从所述第二密封体暴露,所述第二半导体芯片具有第二功率晶体管、所述第二功率晶体管的第三电极、所述第二功率晶体管的第四电极、以及所述第二功率晶体管的第二控制电极,所述第五表面面对并且电耦合到所述第二半导体芯片的所述第三电极,所述第七表面面对并且电耦合到所述第二半导体芯片的所述第四电极;
第一端子,所述第一端子具有第九表面和与所述第九表面相反的第十表面,所述第九表面经由第一导体层电耦合到所述第一金属板的所述第二表面;
第二端子,所述第二端子具有第十一表面和与所述第十一表面相反的第十二表面,所述第十一表面经由第二导体层电耦合到所述第四金属板的所述第八表面;以及
输出端子,所述输出端子经由第三导体层电耦合到所述第二金属板的所述第四表面和所述第三金属板的所述第六表面,
其中所述第一端子在平面图中的面积大于所述第一金属板在平面图中的面积,
其中所述第二端子在平面图中的面积大于所述第四金属板在平面图中的面积,以及
其中所述输出端子在平面图中的面积大于所述第二金属板在平面图中的面积或所述第三金属板在平面图中的面积。
2.根据权利要求1所述的电子装置,
其中所述第一端子在平面图中包括设置有所述第一功率晶体管的区域,
其中所述第二端子在平面图中包括设置有所述第二功率晶体管的区域,以及
其中所述输出端子在平面图中包括设置有所述第一功率晶体管的区域和设置有所述第二功率晶体管的区域。
3.根据权利要求2所述的电子装置,
其中所述第一端子在平面图中包括所述第一金属板,
其中所述第二端子在平面图中包括所述第四金属板,以及
其中所述输出端子在平面图中包括所述第二金属板和所述第三金属板。
4.根据权利要求2所述的电子装置,
其中所述第一端子在平面图中包括所述第一密封体,
其中所述第二端子在平面图中包括所述第二密封体,以及
其中所述输出端子在平面图中包括所述第一密封体和所述第二密封体。
5.根据权利要求1所述的电子装置,
其中所述第一端子的所述第十表面经由第一绝缘体耦合到第一冷却体,以及
其中所述第二端子的所述第十二表面经由第二绝缘体耦合到第二冷却体。
6.根据权利要求5所述的电子装置,
其中所述第一冷却体在平面图中包括所述第一端子,以及
其中所述第二冷却体在平面图中包括所述第二端子。
7.根据权利要求1所述的电子装置,
其中所述输出端子具有第十三表面、与所述第十三表面相反的第十四表面、第十五表面和与所述第十五表面相反的第十六表面,所述第十三表面面对并且电耦合到所述第二金属板的所述第四表面,所述第十五表面面对并且电耦合到所述第三金属板的所述第六表面,
其中所述第十四表面和所述第十六表面彼此面对,
其中在所述第十四表面与所述第十六表面之间,设置有第三冷却体,
其中所述第十四表面经由第三绝缘体耦合到所述第三冷却体,以及
其中所述第十六表面经由第四绝缘体耦合到所述第三冷却体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811011163.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装结构
- 下一篇:用于PFC应用的封装的快速反向二极管组件