[发明专利]电子装置

说明书

本发明涉及一种电子装置，实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中，嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中，嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处，暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极，以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。

相关申请的交叉引用

包括说明书、附图和摘要的、于2017年8月31日提交的日本专利申请No.2017-166609的公开内容通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及一种电子装置，以及涉及例如一种用于包括功率晶体管的电子装置的技术。

背景技术

在例如，专利文献1和2中的每一个中描述包括功率晶体管的半导体装置。专利文献1公开一种结构，其中彼此面对的堆叠半导体芯片的相应主表面电耦合到公共金属布线层，并且在上半导体芯片和下半导体芯片未二维地重叠的区域中，提供电耦合到半导体芯片的控制电极的金属布线层以引出控制电极。专利文献2公开一种结构，其中高侧装置和低侧装置经由公共导电接口堆叠，并且彼此电连接、机械连接和热连接。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2004-140068

[专利文献2]日本未审查专利申请公开No.2013-21318

发明内容

在包括功率晶体管的电子装置中，在改进电子装置的可靠性和电特性等方面，需要进一步改进散热特性。

本发明的其它问题和新颖特征将从本说明书和附图中的陈述中变得显而易见。

实施例中的电子装置包括第一密封体和第二密封体。第一密封体包括第一半导体芯片，其具有第一功率晶体管；第一金属板，其电耦合到第一半导体芯片的第一电极；以及第二金属板，其电耦合到第一半导体芯片的第二电极。第一金属板具有面对第一电极并且电耦合到第一电极的第一表面，以及与第一表面相反的第二表面。第二表面从第一密封体暴露。第一密封体的第二金属板具有面对第二电极并且电耦合到第二电极的第三表面，以及与第三表面相反的第四表面。第四表面从第二密封体暴露。第二密封体包括第二半导体芯片，其具有第二功率晶体管；第三金属板，其电耦合到第二半导体芯片的第三电极；以及第四金属板，其电耦合到第二半导体芯片的第四电极。第三金属板具有面对第三电极并且电耦合到第三电极的第五表面，以及与第五表面相反的第六表面。第六表面从第二密封体暴露。第四金属板具有面对第四电极并且电耦合到第四电极的第七表面，以及与第七表面相反的第八表面。第八表面从第二密封体暴露。第一密封体的第一金属板的第二表面经由第一导体层电耦合到第一端子。第二密封体的第四金属板的第八表面经由第二导体层电耦合到第二端子。第一密封体的第二金属板的第四表面和第二密封体的第三金属板的第六表面经由第三导体层电耦合到输出端子。第一端子在平面图中的面积大于第一金属板在平面图中的面积。第二端子在平面图中的面积大于第四金属板在平面图中的面积。输出端子在平面图中的面积大于第二金属板在平面图中的面积或第三金属板在平面图中的面积。

实施例允许包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。

附图说明

图1的左侧示出含有本发明人研究的三相逆变器电路中包括的功率晶体管的封装的平面图，而图1的右侧示出图1的左侧的封装的相反表面的平面图；

图2是图1中的封装的透明平面图；

图3是沿着图1中的线I-I截取的截面图；

图4是包括图1到3中的封装的半导体模块中的散热结构的示例的截面图；