[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法有效
申请号: | 201811011335.8 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109473279B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 宋承宇;李泽正;朱镇卿;李孝妍;安圣权 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/232 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器包括:
主体,包括第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极设置有介于它们之间的介电层;
第一连接电极,穿过所述主体连接到所述第一内电极;
第二连接电极,穿过所述主体连接到所述第二内电极;
第一外电极,设置在所述主体的一个表面上并连接到所述第一连接电极;以及
第二外电极,设置在所述主体的一个表面上,与所述第一外电极分开并且连接到所述第二连接电极,
其中,所述第一外电极和所述第二外电极各自包括:第一电极层,设置在所述主体的所述一个表面上并包括陶瓷,且所述第一电极层的侧表面暴露于所述主体的外部;以及第二电极层,设置在所述第一电极层上并且具有比所述第一电极层的陶瓷含量小的陶瓷含量。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,
所述第一电极层包括70wt%至85wt%的金属和15wt%至30wt%的陶瓷,所述第二电极层包括90wt%至98wt%的金属和2wt%至10wt%的陶瓷。
3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器,其中,
所述金属是选自Cu、Ni、Sn、W和Au之中的一种或更多种。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,
所述陶瓷是与所述介电层中包括的陶瓷材料相同的材料。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,
所述第一外电极和所述第二外电极还各自包括设置在所述第二电极层上的镀层。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,
所述第一连接电极通过第一绝缘部与所述第二内电极分开,并且所述第二连接电极通过第二绝缘部与所述第一内电极分开。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,
所述第一外电极和所述第二外电极仅设置在所述主体的一个表面上。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,不具有所述第一内电极和所述第二内电极的另一介电层设置在所述主体的上表面和下表面中的至少一者上。
9.一种制造多层陶瓷电容器的方法,所述方法包括:
制备包括第一内电极和第二内电极的主体,其中,所述第一内电极和所述第二内电极设置有介于它们之间的介电层;
形成穿过所述主体的第一孔和第二孔;
用导电材料填充所述第一孔和所述第二孔以形成连接到所述第一内电极的第一连接电极和连接到所述第二内电极的第二连接电极;以及
在所述主体的一个表面上形成连接到所述第一连接电极的第一外电极以及与所述第一外电极分开并连接到所述第二连接电极的第二外电极,
其中,形成所述第一外电极和所述第二外电极的步骤包括:在所述主体的所述一个表面上形成包括陶瓷的第一电极层,且所述第一电极层的侧表面暴露于所述主体的外部;以及在所述第一电极层上形成陶瓷含量小于所述第一电极层的陶瓷含量的第二电极层。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,
所述第一电极层包括70wt%至85wt%的金属和15wt%至30wt%的陶瓷,所述第二电极层包括90wt%至98wt%的金属和2wt%至10wt%的陶瓷。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述金属是选自Cu、Ni、Sn、W和Au之中的一种或更多种。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,
所述陶瓷是与所述介电层中包括的陶瓷材料相同的材料。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,
形成所述第一外电极和所述第二外电极的步骤还包括在形成所述第二电极层之后执行煅烧和烧结,并且在所述第二电极层上形成镀层。
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