[发明专利]一种三维存储器的制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层间隔设置的栅极层；

形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；

在所述沟道孔的侧壁上形成存储器层；

沿所述存储器层的径向内侧依次形成第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层；

所述第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层接触；

所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中，一个为源极，另一个为漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二掺杂类型材料层之后，还包括：

沿着所述第二掺杂类型材料层的径向内侧形成绝缘芯层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂类型材料层为源极，所述第二掺杂类型材料层为漏极，所述形成绝缘芯层后，还包括：

去除部分所述绝缘芯层，以露出漏极；

在所述沟道孔的上方形成漏极塞，所述漏极塞与所述漏极接触。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂类型材料层为漏极，所述第二掺杂类型材料层为源极，所述形成绝缘芯层后，还包括：

去除部分所述绝缘芯层和部分所述第二掺杂类型材料层，以露出漏极；

在所述沟道孔的上方形成漏极塞，所述漏极塞与所述漏极接触。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中的至少一层采用原位掺杂的方式形成。

6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中的至少一层的材料为SiGe、SiC或a-Si。

7.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中，一个为N型重掺杂材料层，另一个为P型重掺杂材料层。

8.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述沟道孔底部设置有外延结构。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，用作源极的掺杂类型材料层沿所述沟道孔的轴向方向延伸至与所述外延结构接触。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔的轴向方向上，用作漏极的掺杂类型材料层的底部与所述外延结构的上表面存在间隔。