[发明专利]一种掩模版的制备方法有效
申请号: | 201811011755.6 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN108803233B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 储志浩;顾婷婷 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模版 制备 方法 | ||
1.一种掩模版的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S01:提供初始目标图形,所述初始目标图形包括第一层图形和第二层图形,所述第一层图形包括多个结构图形,按照图形的设计规则将多个所述结构图形分为第一类图形和第二类图形;
步骤S02:利用光学临近修正模型对所述第二层图形进行修正;
步骤S03:在已有的仿真模拟软件上针对所述第一类图形设定第一检查规格,针对所述第二类图形设定第二检查规格,并利用所述仿真模拟软件对所述第一类图形、所述第二类图形以及修正后的所述第二层图形进行仿真以及按所述第一检查规格和第二检查规格分别执行检查步骤;
步骤S04:所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错,若报错,则判断所述报错是否存在工艺风险,若无风险,则认定对所述第二类图形进行修正后的初始目标图形为终极目标图形,若存在风险,则再次执行步骤S02和步骤S03,以得到终极目标图形;
步骤S05:按终极目标图形,制备掩模版;
其中,所述第一类图形和所述第二类图形分别覆盖部分所述第二层图形;对所述第一类图形进行仿真得到第一仿真图形,对所述第二类图形进行仿真得到第二仿真图形,对修正后的所述第二层图形进行仿真得到第三仿真图形,所述第一仿真图形和所述第二仿真图形分别覆盖部分所述第三仿真图形;所述第一检查规格包括:所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第一类图形的面积的比值;所述第二检查规格包括:所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积与所述第二仿真图形的面积的比值和所述第二类图形的面积与所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积的比值的乘积。
2.如权利要求1所述的掩模板的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:在步骤S03之前,获得所述第一类图形的面积、所述第二类图形的面积以及所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积。
3.如权利要求1所述的掩模板的制备方法,其特征在于,所述第一类图形的面积、所述第二类图形的面积以及所述第二类图形在所述第二层图形上的覆盖面积根据所述初始目标图形的设计规格计算获得。
4.如权利要求1所述的掩模板的制备方法,其特征在于,在步骤S03中,所述检查步骤包括:
所述仿真模拟软件计算所述第一仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积、所述第二仿真图形的面积以及所述第二仿真图形在所述第三仿真图形上的覆盖面积;以及,
将所述仿真模拟软件计算的结果分别代入所述第一检查规格和所述第二检查规格中再次进行计算。
5.如权利要求4所述的掩模版的制备方法,其特征在于,所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错包括:
若通过所述第一检查规格计算得出的值大于90%则不报错,小于或等于90%则报错;
若通过所述第二检查规格计算得出的值大于90%则不报错,小于或等于90%则报错。
6.如权利要求1所述的掩模板的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错,若不报错,则认定对所述第二层图形进行修正后的初始目标图形为所述终级目标图形。
7.如权利要求1所述的掩模版的制备方法,其特征在于,所述第一层图形为制作介质层的图形,所述结构图形为制作接触孔的图形,所述第二层图形为制作金属层的图形。
8.如权利要求1所述的掩模版的制备方法,其特征在于,所述第一类图形为正方形的接触孔图形,所述第二类图形为长方形的接触孔图形。
9.如权利要求1所述的掩模版的制备方法,其特征在于,所述仿真模拟软件为图形处理软件。
10.如权利要求1所述的掩模版的制备方法,其特征在于,所述光学临近修正模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立。
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