[发明专利]一种掩模版的制备方法

说明书

本发明提供了一种掩模版的制备方法，利用已有的光学临近修正模型对初始目标图形中的第二层图形进行修正之前，对初始目标图形中覆盖部分所述第二层图形的第一层图形按照图形的设计规则划分为第一类图形和第二类图形并针对所述第一类图形和所述第二类图形分别设定检查规格以减少利用仿真模拟软件对修正结果进行检查时误报错的次数，从而减少检查所需的时间，提高最终晶圆的出版效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩模版的制备方法。

背景技术

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将设计图形通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图形结构复制到生产芯片的晶圆上。但是由于光学临近效应(Opticle Proximity Effect，OPE)，设计图形经过曝光之后复制到晶圆上的实际图形会产生偏差。为了避免出现此问题，通常对掩膜版进行光学临近修正(Optical Proximity Correction，OPC)。OPC的基本思想是：对集成电路设计的图形进行预先的修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的OPE效应。因此，使用经过OPC的图形做成的掩膜版，通过光刻以后，在晶片上就能得到最初想要的电路结构。

随着技术节点的不断降低，半导体器件的特征尺寸不断减小，OPE导致硅片上的光刻图形与掩模版上图形的偏差问题越来越严重，因此OPC在半导体制造中愈发显得重要。现有技术针对光学临近效应修正后的设计版图按照统一规格和标准来判定修正是否正确，但由于设计图形逐渐变得复杂，设计图形的种类多有不同，这种规格统一的检查方法使得不同种类的设计图形的检查变得复杂，更有可能会造成报错，从而会对工程技术人员判定和解决问题造成干扰，增加了光学临近效应校正的处理时间，导致通过OPC的晶圆的出版效率渐渐无法满足晶圆厂的产能需求，所以现阶段面临的一大挑战就是在尽可能满足工艺要求的情况下，减小对光学临近效应校正后的设计版图检查的时间以提高掩模版出版的效率，从而最终提高晶圆的出版效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩模版的制备方法，以解决现有技术中晶圆出版效率不高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩模版的制备方法，所述方法包括：

步骤S01：提供初始目标图形，所述初始目标图形包括第一层图形和第二层图形，所述第一层图形包括多个结构图形，按照图形的设计规则将多个所述结构图形分为第一类图形和第二类图形；

步骤S02：利用光学临近修正模型对所述第二层图形进行修正；

步骤S03：在已有的仿真模拟软件上针对所述第一类图形设定第一检查规格，针对所述第二类图形设定第二检查规格，并利用所述仿真模拟软件对所述第一类图形、所述第二类图形以及修正后的所述第二层图形进行仿真以及按所述第一检查规格和第二检查规格分别执行检查步骤；

步骤S04：所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错，若报错，则判断所述报错是否存在工艺风险，若无风险，则认定对所述第二图形进行修正后的初始目标图形为终极目标图形，若存在风险，则再次执行步骤S02和步骤S03，以得到终极目标图形；

步骤S05：按终极目标图形，制备掩模版。

可选地，在所述的掩模板的制备方法中，所述第一类图形和所述第二类图形分别覆盖部分所述第二层图形；对所述第一类图形进行仿真得到第一仿真图形，对所述第二类图形进行仿真得到第二仿真图形，对修正后的所述第二层图形进行仿真得到第三仿真图形，所述第一仿真图形和所述第二仿真图形分别覆盖部分所述第三仿真图形。