[发明专利]有机EL显示面板、有机EL显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201811012305.9 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109473564B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 堀河敬司;原田健史;冲川昌史 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张永明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示 面板 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机EL显示面板,其特征在于,具备:
基板;
多个有机EL元件,形成于所述基板上;以及
密封层,配置于所述多个有机EL元件的上方,并按照第一密封层、第二密封层、第三密封层的顺序层叠而成,
所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层分别由非晶质氮化硅构成,
当所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层各自的组成为SiNx时,第二密封层组成中x的值大于第一密封层组成中x的值和第三密封层组成中x的值中任一方。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示面板,其特征在于,
所述第二密封层的折射率小于所述第一密封层的折射率和所述第三密封层的折射率中任一方。
3.根据权利要求2所述的有机EL显示面板,其特征在于,
所述第二密封层的折射率为1.60以上且1.78以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示面板,其特征在于,
所述第一密封层的折射率和所述第三密封层的折射率相同。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示面板,其特征在于,
所述第二密封层的材料相对于所述第一密封层的材料和所述第三密封层的材料中任一方,当曝露于相同温度且相同湿度的大气中,从大气中的水中吸收氧的反应的反应性高。
6.根据权利要求5所述的有机EL显示面板,其特征在于,
所述第三密封层具有异物等引起的缺陷,所述第二密封层对应该缺陷的部分曝露于大气中,
所述第二密封层包含比所述第一密封层和所述第三密封层中任一方都多的氧。
7.一种有机EL显示装置,其特征在于,
所述有机EL显示装置具备根据权利要求1至6中任一项所述的有机EL显示面板。
8.一种有机EL显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
准备基板的工序;
在所述基板上形成多个有机EL元件的工序;
在所述有机EL元件的上方形成第一密封层的工序;
在所述第一密封层上形成第二密封层的工序;以及
在所述第二密封层上形成第三密封层的工序,
所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层各自的形成工序是非晶质氮化硅膜通过CVD法的成膜工序,
当所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层各自的组成为SiNx时,第二密封层组成中x的值大于第一密封层组成中x的值和第三密封层组成中x的值中任一方。
9.根据权利要求8所述的有机EL显示面板的制造方法,其特征在于,
在所述非晶质氮化硅膜通过CVD法的成膜工序中,原料气体包括硅烷和氨,
所述第二密封层的形成工序中硅烷相对于氨的比率比所述第一密封层的形成工序和所述第三密封层的形成工序中硅烷相对于氨的比率低。
10.根据权利要求9所述的有机EL显示面板的制造方法,其特征在于,
所述第二密封层的形成工序中硅烷相对于氨的比率为0.2以上且0.65以下。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的有机EL显示面板的制造方法,其特征在于,
在所述非晶质氮化硅膜通过CVD法的成膜工序中,原料气体包括硅烷和氨,
所述第二密封层的形成工序中原料气体的压力比所述第一密封层的形成工序和所述第三密封层的形成工序中原料气体的压力高。
12.根据权利要求11所述的有机EL显示面板的制造方法,其特征在于,
所述第二密封层的形成工序中原料气体的压力为200Pa以上且500Pa以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本有机雷特显示器,未经株式会社日本有机雷特显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811012305.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择