[发明专利]有机EL显示面板、有机EL显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201811012305.9 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109473564B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 堀河敬司;原田健史;冲川昌史 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张永明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示 面板 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本申请公开了一种有机EL显示面板、有机EL显示装置及其制造方法,由于具备具有高覆盖性的氮化硅膜,提高了有机EL元件的保护性能。该有机EL显示面板具备:基板;形成于所述基板上的多个有机EL元件;配置于所述多个有机EL元件的上方,并按照第一密封层、第二密封层、第三密封层的顺序层叠而成的密封层;所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层分别由非晶质氮化硅构成,当所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层各自的组成为SiNx时,第二密封层组成中x的值大于第一密封层组成中x的值和第三密封层组成中x的值中任一方。
技术领域
本公开涉及有机EL显示面板、使用该有机EL显示面板的显示装置及其制造方法,尤其涉及密封层耐久性的改进。
背景技术
有机EL显示面板中,为了使二维配置的多个有机EL元件整体免于水或气体等引起的劣化,设有密封层。以往,密封层由氮化硅(SiN)等形成,形成方法使用等离子体CVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:等离子体增强化学气相沉积)。由于氮化硅膜成膜时,提高膜密度而增强密封性,密封层的耐弯曲性会极度减小,因此覆盖部位存在台阶障壁或异物时的覆盖性降低。因此,例如,在专利文献1的密封层中,通过氮化硅膜-有机膜-氮化硅膜的3层结构,使用有机膜来平整台阶障壁,以防止有机膜上的氮化硅膜的覆盖性降低,提高覆盖性。
然而,在专利文献1的密封层中,存在当有机膜和氮化硅膜之间混入异物时,覆盖性降低的问题。尤其是,有机膜形成后、氮化硅膜形成前,有机膜表面附着异物时,氮化硅膜的覆盖性降低,可能会产生裂纹。这种情况下,由于有机膜的密封性不高,会存在密封性降低的情况。特别是,由于有机膜对于水的密封性不高,造成密封层整体对于水的密封性降低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-21975号公报
发明内容
鉴于上述问题点,本公开的目的在于提供一种有机EL显示面板,由于具备具有高覆盖性的氮化硅膜,提高了有机EL元件的保护性能。
为实现上述目的,本公开的一方案的有机EL显示面板具备:基板;多个有机EL元件,形成于所述基板上;以及密封层,配置于所述多个有机EL元件的上方,并按照第一密封层、第二密封层、第三密封层的顺序层叠而成,所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层分别由非晶质氮化硅构成,当所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层各自的组成为SiNx时,第二密封层组成中x的值大于第一密封层组成中x的值和第三密封层组成中x的值中任一方。
在上述方案的有机EL显示面板中,由于第二密封层具有吸水性,所以即使密封层产生裂纹,也能够抑制对于水的密封性的降低。
附图说明
图1为实施方式的有机EL显示面板1的结构的截面示意图。
图2为实施方式的有机EL显示面板1中异物x1上的密封层108的状态的截面示意图。
图3为实施方式的第一密封层108a和第二密封层108b各自的吸水加速试验的结果的示意图。
图4为实施方式的通过EDX对吸水加速试验后的密封层截面中Si、N、O的存在位置进行检测的结果的示意图。
图5为实施方式的有机EL显示面板1的制造过程的流程图。
图6的(a)为实施方式的用于密封层成膜的装置的截面示意图,图6的(b)为成膜条件的一示例图。
图7为实施方式的密封膜108的成膜工序的流程图。
图8为氮化硅的组成和折射率的关系的示意图。
附图标记说明
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