[发明专利]铜/钼膜层用蚀刻液组合物在审
申请号: | 201811013118.2 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109023372A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 赵芬利 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23F1/44 | 分类号: | C23F1/44 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 质量分数 蚀刻液组合物 钼膜 蚀刻 无机盐 氧化剂 蚀刻抑制剂 调节剂 有机酸 螯合剂 溶剂 刻蚀稳定性 整体组合物 刻蚀效率 | ||
1.一种铜/钼膜层用蚀刻液组合物,其特征在于,包括:
混合均匀的氧化剂、有机酸、蚀刻调节剂、无机盐、螯合剂、蚀刻抑制剂、以及溶剂;
其中,相对于整体组合物的质量,所述氧化剂的质量分数为5%~15%,所述有机酸的质量分数为4%~13%,所述蚀刻调节剂的质量分数为0.1%~5%,所述无机盐的质量分数为0.1%~5%,所述螯合剂的质量分数为0.5%~9%,所述蚀刻抑制剂的质量分数为0.001%~1%,余量为所述溶剂。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述氧化剂为过氧化氢。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述溶剂为去离子水。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述有机酸选自乙酸、羟基乙酸、2-羟基丙烷-1,2,3-三羧酸、苯甲酸、乙二酸、丁二酸、2,3-二羟基丁二酸、2-羟基丁二酸、2-羟基丙酸、邻苯二甲酸中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述蚀刻调节剂为胺类化合物。
6.根据权利要求5所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述蚀刻调节剂选自二异丙醇胺、聚丙烯酰胺、间苯二胺、对氯苯胺、一异丙醇胺中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述无机盐选自钠盐、镁盐、钾盐中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述无机盐选自氯化钠、氯化镁、氯化钾、硫酸钠、硫酸镁、硫酸钾、硝酸钠、硝酸镁、硝酸钾、醋酸钠、乙酸镁、乙酸钾中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述螯合剂选自锡酸钠、焦磷酸钠、8-羟基喹啉、壳聚糖中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其特征在于,所述蚀刻抑制剂选自6-硝基苯并咪唑、2-氨基噻唑、2-氨基-5-硝基噻唑、5-氨基四氮唑、3-氨基-1,2,4-三唑、苯骈三氮唑、苯并三唑、唑氮钠、疏基苯并三氮唑中的至少一种。
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