[发明专利]用于铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置

权利要求书

1.一种用于铜钼膜层的刻蚀方法，其特征在于，包括：

步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；

步骤S20，在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；

步骤S30，将形成有所述光刻胶的基板置于刻蚀装置中；

步骤S40，对所述刻蚀装置内部进行紫外线照射，以及向所述刻蚀装置内充注臭氧；

步骤S50，利用刻蚀液对所述铜钼膜层进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S40中，所述紫外线的波长为200～390纳米。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S40中，所述紫外线的照射强度为0.5～2毫瓦每平方厘米。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S40中，所述刻蚀装置内的所述臭氧的浓度为0.05～10毫克每升。

5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S50中，所述刻蚀液的刻蚀温度为25～35摄氏度。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀液包括混合均匀的过氧化氢、有机酸、调节剂、无机盐、螯合剂、抑制剂、以及去离子水。

7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，相对于所述刻蚀液的整体质量，所述过氧化氢的质量分数为5％～10％，所述有机酸的质量分数为3％～10％，所述调节剂的质量分数为0.1％～3％，所述无机盐的质量分数为0.1％～5％，所述无机盐的质量分数为0.1％～5％，所述螯合剂的质量分数为0.5％～7％，所述抑制剂的质量分数为0.001％～1％，余量为所述去离子水。

8.一种用于铜钼膜层的刻蚀装置，其特征在于，包括：

密封的腔体；

载物台，设置于所述腔体底部，用以承载待刻蚀的基板；

刻蚀液喷头，设置于所述腔体的顶部，用以喷射出刻蚀液；

紫外灯，设置于所述腔体的上部；

臭氧充注口，设置于所述腔体上。

9.根据权利要求8所述的刻蚀装置，其特征在于，所述紫外灯的照射出的紫外光的波长为200～390纳米，所述紫外光的照射强度为0.5～2毫瓦每平方厘米。

10.根据权利要求8所述的刻蚀装置，其特征在于，所述臭氧充注口用以向所述腔体内部充入臭氧，所述腔体内的所述臭氧的浓度为0.05～10毫克每升。